【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电转换装置的隔离(isolation)结构。
技术介绍
CCD和CMOS光电转换装置被用于大量的数字静物照相机和数字便携式摄像机中。近年来，光电转换装置中的像素减小，因此，研究电荷对于相邻的像素的串扰的对策。日本专利申请公开N0.2003-258232公开了根据光电转换元件的N型阱区域在深的区域处形成用作用于防止相邻的像素之间的电荷的串扰的隔离的势垒的P型阱区域的配置。
技术实现思路
本专利技术提供一种光电转换装置，该光电转换装置包括:基板；多个像素，其中每个像素包括:被布置在基板上的光电转换元件；被布置在基板上的用于传送在光电转换元件中产生的信号电荷的晶体管；和被布置在基板上的用于读出传送的信号电荷的多个晶体管，其中，所述多个像素包含彼此相邻的第一光电转换元件和第二光电转换元件，在第一光电转换元件和第二光电转换元件之间形成第一半导体区域，所述第一半导体区域具有第一导电类型而在光电转换元件中产生的电荷是少数载流子，并且，在布置有用于读出传送的信号电荷的多个晶体管的区域中布置第二半导体区域，所述第二半导体区域具有第一导电类型并具有比第一导电类型的第一半...
【技术保护点】
一种光电转换装置，包括：具有第一导电类型的第一半导体区域；以及具有第二导电类型的第二半导体区域，所述第二半导体区域用于蓄积信号电荷，构成第一光电转换元件的一部分，被布置在所述第一半导体区域中；具有第二导电类型的第三半导体区域，所述第三半导体区域用于蓄积信号电荷，构成第二光电转换元件的一部分，被布置在所述第一半导体区域中；用于传送信号电荷的晶体管；用于读出传送的信号电荷的多个晶体管；具有第一导电类型的第四半导体区域，所述第四半导体区域被布置在第二半导体区域和第三半导体区域之间；以及具有第一导电类型的第五半导体区域，所述第五半导体区域具有比第四半导体区域的宽度大的宽度，其中，用...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：有岛优，川端康博，高田英明，酒井诚一郎，小泉彻，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：
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