一种具有交错梳齿的静电驱动结构的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有交错梳齿的静电驱动结构的制备方法，包括以下步骤：步骤10）选取SOI硅片作为起始硅片；步骤20）在SOI硅片顶面生长氧化绝缘层，然后在氧化绝缘层顶面覆盖光刻胶层，接着在光刻胶层上刻蚀孔，形成第一孔；随后在第一孔上淀积保护层，并去掉位于第一孔底面上的保护层；步骤30）沿着第一孔继续向下刻蚀孔，在衬底中形成第二孔；步骤40）刻蚀位于第一孔下方的衬底，使第二孔的孔径大于第一孔的孔径；步骤50）腐蚀掉氧化绝缘层和第一孔侧壁的保护层，然后对整个表面进行硅外延生长，使第二孔封闭；步骤60）利用光刻板，对硅膜进行梳齿光刻，制成静电驱动结构。该制备方法简单，可靠性高，且加工精度高。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种具有交错梳齿的静电驱动结构的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：步骤10）选取硅片：选取（100）晶向高掺杂衬底（1）和硅膜（3）的SOI硅片作为起始硅片；SOI硅片从下向上依次为衬底（1）、绝缘层（2）和硅膜（3）；步骤20）采用热氧化方法在SOI硅片顶面生长一层氧化绝缘层（7），然后采用旋涂工艺，在氧化绝缘层（7）顶面覆盖一层光刻胶层（6），接着采用光刻工艺，在光刻胶层（6）上刻蚀孔，当刻蚀到氧化绝缘层（7）顶面时，用氢氟酸溶液腐蚀掉氧化绝缘层（7），在硅膜（3）上继续刻蚀孔，当刻蚀到绝缘层（2）顶面时，用氢氟酸溶液腐蚀掉绝缘层（2），从而形成第一孔（8），该第一孔（8）贯穿...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：秦明，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：