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本发明公开了一种具有交错梳齿的静电驱动结构的制备方法，包括以下步骤：步骤10）选取SOI硅片作为起始硅片；步骤20）在SOI硅片顶面生长氧化绝缘层，然后在氧化绝缘层顶面覆盖光刻胶层，接着在光刻胶层上刻蚀孔，形成第一孔；随后在第一孔上淀积保护...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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