一种石英陶瓷坩埚制造技术

本实用新型专利技术公开了一种石英陶瓷坩埚，其包括一体成型的底部和侧壁，所述底部厚度为18~45mm，底部内表面设有多个凸起或凹陷。本实用新型专利技术底部内表面的结构设计，使得坩埚底部的最低面成为低温点，由于每个低温点的温度梯度方向都是垂直于坩埚内底面的，使得每个初始生长晶体都是相互平行的，不会相互交错，从而可以减少晶界的形成和紊乱。初始晶体沿着原始方向生长并不断变粗变大，从而能够得到粗大定向性好的多晶硅晶体，优化了晶界的形成，提高了太阳能电池片的转化率，并降低了衰减速率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种用于太阳能多晶硅铸锭领域的石英陶瓷坩埚。
技术介绍
目前多晶硅铸锭采用的是定向凝固技术，主要是为了获得沿生长方向整齐排列的粗大的柱状晶组织，然后在后续的切片过程中保证晶界和电池表面垂直，就可以减少晶界对电池转换效率的影响，粗大的柱状晶尺寸减少了晶界数量，也有利于提高转换效率。而要达到这个目的，如何控制热场以及晶体生长是最为关键的，这对于太阳能行业的发展也具有重要意义。
技术实现思路
为了解决现有的多晶硅铸锭用坩埚无法获得粗大柱状多晶硅晶体的技术问题，本技术提供了一种新型高效的石英陶瓷坩埚。本技术提供的石英陶瓷坩埚，包括一体成型的底部和侧壁，所述底部厚度为18^45mm,底部内表面设有多个凸起或凹陷。所述底部厚度为底部内表面最高点到底部外表面的最短距离。在底部内表面设有多个凸起或凹陷的结构，使其在相对最低处都是一个低温点，多晶硅熔体在冷却过程中，在这些位置优先开始长出晶体。由于每个低温点的温度梯度方向都是垂直于坩埚内底面的，因此每个初始生长晶体都是相互平行的，不会相互交错，从而可以减少晶界的形成和紊乱。初期生长的晶体为后续生长的晶体提供了一个生长基，可以使结晶作用沿着初始晶体的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石英陶瓷坩埚，包括一体成型的底部和侧壁，其特征在于，所述底部厚度为18~45mm，底部内表面设有若干个凸起或凹陷。

【技术特征摘要】
1.一种石英陶瓷坩埚，包括一体成型的底部和侧壁，其特征在于，所述底部厚度为18 45_，底部内表面设有若干个凸起或凹陷。2.根据权利要求1所述的石英陶瓷坩埚，其特征在于，所述凸起或凹陷的高度为I IOmm03.根据权利要求1所述的石英陶瓷坩埚，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈培荣，陈士斌，段井超，丁炳华，张东，
申请(专利权)人：江苏太平洋石英股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：