【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于半导体器件的接合线，包括：5ppm到10wt%的选自锌（Zn）、锡（Sn）和镍（Ni）组成的组中的至少一种；以及剩余物，包括银（Ag）和其他不可避免的杂质。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：EK·郑，JS·柳，YD·卓，
申请(专利权)人：赫劳斯材料工艺有限及两合公司，
类型：发明
国别省市：
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