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本发明涉及用于半导体器件的接合线。公开了一种用于半导体器件的接合线及其制造方法。根据本发明的用于半导体器件的接合线包括5ppm到10wt%的选自锌（Zn）、锡（Sn）和镍（Ni）组成的组中的至少一种；以及剩余物，包括银（Ag）和其他不可避免...
该专利属于赫劳斯材料工艺有限及两合公司所有，仅供学习研究参考，未经过赫劳斯材料工艺有限及两合公司授权不得商用。

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