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硅基梯度折射率透镜制造技术

技术编号:8734823 阅读:200 留言:0更新日期:2013-05-26 11:38
本发明专利技术涉及一种硅基梯度折射率透镜,包括硅基基体,在硅基基体上形成梯度折射率透镜。本发明专利技术采用硅基基体作为透镜基体,且在硅基基体上形成梯度折射率透镜,可用于硅基光电子集成技术。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种硅基梯度折射率透镜
技术介绍
梯度折射率透镜作为重要的微光学元件,其尺寸为微米到毫米量级,是普通光学不可取代的特殊元件,它是由不同折射率的非均匀介质材料制备成的微透镜或透镜阵列,其折射率分布剖面分为径向、轴向和球向的非线性曲线。根据梯度折射率透镜所具有的特殊性能,梯度折射率透镜不仅可应用于微光学成像器件,如传真机、复印机、扫描仪以及医用和工业内窥镜等多种微小图像传感器,并且在光通信领域,作为光学有源和无源器件的核心组成部分,在光准直器、互连器、隔离器、光滤波器、光开关、以及光纤耦合器等方面具有广泛的应用。当前,在光电信息领域使用的梯度折射率透镜主要采用离子交换法或溶胶凝胶法,由于制备的梯度折射率透镜仅适用于单一器件的封装,并且封装尺寸较大,难于用于娃基光电子集成技术。
技术实现思路
本专利技术所要解决的问题是提供一种硅基梯度折射率透镜,这种硅基梯度折射率透镜可用于娃基光电子集成技术。本专利技术提供一种硅基梯度折射率透镜,包括硅基基体,在硅基基体上形成梯度折射率透镜。所说的硅基梯度折射率透镜具有纳米尺寸多孔结构。所述的梯度折射率透镜基体材料为单晶硅。本专利技术采用硅基基体作为透镜基体,且在硅基基体上形成梯度折射率透镜,可用于娃基光电子集成技术。附图说明图1为本专利技术提出的硅基梯度折射率透镜结构示意图。具体实施例方式下面结合附图对本技术方案进一步说明。请参阅图1,本技术方案提供一种硅基梯度折射率透镜10,其包括一预定形状的透镜基体11 ;以及所述透镜基体由纳米孔构成12,使其折射率具有透镜的梯度折射率分布。下面结合实施例对各步骤进行详细说明。步骤(I),提供一预定形状的透镜基体11。所述透镜基体11的材料由单晶硅构成,并且其晶格取向为(110)。步骤(2),所述透镜基体由纳米孔构成12。本实施例中,将步骤(I)透镜基体10置于化学腐蚀装置上,所采用的腐蚀液为氢氟酸和硫酸混合液。步骤(3),按照步骤(I)和步骤(2),通过改变电流强度和腐蚀时间,从而控制纳米孔尺寸(以形成所述梯度折射率透镜10。权利要求1.一种硅基梯度折射率透镜,其特征是:包括硅基基体,在硅基基体上形成梯度折射率透镜。2.根据权利要求1所述硅基梯度折射率透镜,其特征是:所说的硅基梯度折射率透镜具有纳米尺寸多孔结构。3.根据权利要求1或2所述硅基梯度折射率透镜,其特征是:所述硅基基体材料为单晶娃。全文摘要本专利技术涉及一种硅基梯度折射率透镜,包括硅基基体,在硅基基体上形成梯度折射率透镜。本专利技术采用硅基基体作为透镜基体,且在硅基基体上形成梯度折射率透镜,可用于硅基光电子集成技术。文档编号G02B3/00GK103116195SQ20111036571公开日2013年5月22日 申请日期2011年11月17日 优先权日2011年11月17日专利技术者吕昊 申请人:孝感学院本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅基梯度折射率透镜,其特征是:包括硅基基体,在硅基基体上形成梯度折射率透镜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:吕昊
申请(专利权)人:孝感学院
类型:发明
国别省市:

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