用于光蚀刻法的组合物和防反射涂层制造技术
【技术实现步骤摘要】
用于光蚀刻法的组合物和防反射涂层
本申请要求2011年9月21日提交的美国临时申请61/537,097的权益，将该文献的全部内容通过参考并入本申请。本专利技术涉及组合物，尤其是涉及用于微电子应用的防反射涂层组合物(例如，“BARCs”)。在该微电子工业中，一直需要这样的组合物，其具有改善的对光致抗蚀剂聚合物的粘合性。
技术介绍
国际公开WO2005/056682披露了含有硅聚合物和有机聚合物的乳液组合物。该有机聚合物通过一种或者多种烯键式不饱和有机单体的自由基聚合反应形成，所述烯键式不饱和有机单体例如丙烯酸酯、丙烯酸甲酯、氟化的丙烯酸酯、氟化的甲基丙烯酸酯、丙烯酸、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸烯丙基酯、甲基丙烯酸二甲基氨基乙基酯，卤代乙烯，乙烯基酯，乙烯基芳族化合物，单羧酸的乙烯基酯，或者乙烯基吡咯烷酮。国际公开WO2009/095521披露了使用每倍半硅氧烷分子具有变化数量(1至12)的可聚合双键的单体将倍半硅氧烷结合到共聚物中。该线性交联的共聚物披露为具有优异的光学性质和高水平的光稳定性。日本专利文献JP2004-309560披露了用于光刻的防反射膜，其含有聚合物，...
【技术保护点】
一种组合物，其包括至少以下的A和B:A)含有以下的结构单元1的聚合物:其中L是CX?CYZ，其中X、Y、和Z各自独立地选自氢、烷基、或者取代的烷基；和,M是亚烷基、亚芳基、取代的亚烷基、取代的亚芳基、或者C(O)O?W?，其中W是亚烷基或者取代的亚烷基；和R’、R”、和R”’各自独立地选自芳族烃、脂族烃、或者取代的烃，其含有O，N，S，或者Si原子中的一个或者多个，条件是R’、R”和R”’中的至少一个选自烷氧基、芳氧基、羟基、卤素、羧基、或者碳酸酯；和,p是1至10,000的整数；和条件是该聚合物不含有多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)结构；和B)由第一组合物形成的聚合物，所...
【技术特征摘要】
2011.09.21 US 61/537,0971.一种组合物，其包括至少以下的A和B:A)含有以下的结构单元1的聚合物:其中L是CX-CYZ，其中X、Y、和Z各自独立地选自氢、烷基、或者取代的烷基；和，M是亚烷基、亚芳基、取代的亚烷基、取代的亚芳基、或者C(O)O-W-，其中W是亚烷基或者取代的亚烷基；和R’、R”、和R”’各自独立地选自芳族烃、脂族烃、或者取代的烃，其含有O，N，S，或者Si原子中的一个或者多个，条件是R’、R”和R”’中的至少一个选自烷氧基、芳氧基、羟基、卤素、羧基、或者碳酸酯；和，p是1至10,000的整数；和条件是该聚合物不含有多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)结构；和B)由第一组合物形成的聚合物，所述第一组合物包括以下的至少一种:a)选自式1的化合物F1:其中Ra包括一个或多个多重键，条件是，如果Ra含有多于一个多重键，那么这些多重键不为共轭的构型；和R1、R2、和R3各自独立地选自烷氧基、羟基、卤素、OC(O)R、或者OC(O)OR，其中R是烷基或者取代的烷基；b)选自式2的化合物F2:其中Rb选自H或者饱和的基团，所述饱和的基团包括烷基，烷撑，或者烷叉；和R4、R5、和R6各自独立地选自烷氧基、羟基、卤素、OC(O)R、或者OC(O)OR，其中R是烷基或者取代的烷基；c)选自式3的化合物F3:其中Rc包括多于一个多重键，和这些多重键为共轭的构型；和R7、R8、和R9各自独立地选自烷氧基、羟基、卤素、OC(O)R、或者OC(O)OR，其中R是烷基或者取代的烷基；和/或d)选自式4的化合物F4:其中R10、R11、R12、和R13各自独立地选自烷氧基、羟基、卤素、OC(O)R、或者OC(O)OR，其中R是烷基或取代的烷基。2.权利要求1的组合物，其中在结构单元(1)中，X、Y、和Z各自独立地选自氢或者C1-C10烷基。3.权利要求1或2的组合物，其中，在结构单元(1)中，M是C1至C10亚烷基，C1至C10亚芳基，或者C(O)O-W-，和W是C1至C10亚烷基。4.权利要求1或2的组合物，其中，在结构单元(1)中，R’、R”、和R”’各自独立地选自C1至C10脂族烃、C1至C10芳族烃、OH、OR、OC(O)R、或者OC(O)OR，其中R是C1至C...
【专利技术属性】
技术研发人员：饶袁桥，RL奥格，CW基亚里，YN斯里瓦斯塔瓦，CP沙利文，
申请(专利权)人：陶氏环球技术有限责任公司，罗姆哈斯电子材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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