一种CMOS电路结构、OLED及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种CMOS电路结构、OLED及显示装置，在CMOS电路结构中PMOS区域为LTPS TFT结构，即使用P型掺杂多晶硅材料制备PMOS半导体层，NMOS区域为Oxide TFT结构，即使用氧化物材料制备NMOS半导体层，在NMOS区域使用氧化物材料代替现有的多晶硅材料制备NMOS半导体层，能够省去采用TLPS工艺时对NMOS区域的三次掺杂工艺，可以简化CMOS电路结构的制作流程，降低生产成本。并且，由于采用氧化物材料制作NMOS区域的NMOS半导体层，仅需要对PMOS区域的PMOS半导体层进行结晶化，也能延长激光管的使用寿命，降低生产成本。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电路制造
，尤其涉及一种CMOS电路结构、OLED及显示装置。
技术介绍
互补金属氧化物半导体(CMOS,Complementary Metal Oxide Semiconductor)由P 型沟道金属氧化物半导体(PM0S, Positive channel Metal Oxide Semiconductor)和 N型沟道金属氧化物半导体(NM0S, Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor)共同构成。目前,一般都是采用低温多晶娃(LTPS, Low Temperature Poly-silicon)技术分别制备CMOS电路中PMOS区域和NMOS区域的半导体层，其制备工艺相对复杂，具体工艺步骤如下:步骤1:在衬底基板01之上，利用一次构图工艺形成位于PMOS区域A的PMOS半导体层02的图形，以及位于NMOS区域B的NMOS半导体层03的图形，如图1a所示；其中，PMOS半导体层02和NMOS半导体层03的制备过程具体为:在衬底基板01上形成一层a-Si材料，经过激光晶化后形成的多晶硅材料，然后通过一次构图工艺利用多晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CMOS电路结构，具有PMOS区域和NMOS区域，其特征在于，包括：依次位于衬底基板之上的PMOS半导体层、栅绝缘层、PMOS栅极和NMOS栅极、第一层间介质层、NMOS半导体层、第二层间介质层以及PMOS源漏极和NMOS源漏极，其中，所述PMOS半导体层、PMOS栅极和PMOS源漏极位于PMOS区域内；所述PMOS半导体层由P型掺杂多晶硅材料制成；所述NMOS半导体层、NMOS栅极和NMOS源漏极位于NMOS区域内；所述NMOS半导体层由氧化物材料制成。

【技术特征摘要】
1.一种CMOS电路结构，具有PMOS区域和NMOS区域，其特征在于，包括:依次位于衬底基板之上的PMOS半导体层、栅绝缘层、PMOS栅极和NMOS栅极、第一层间介质层、NMOS半导体层、第二层间介质层以及PMOS源漏极和NMOS源漏极，其中， 所述PMOS半导体层、PMOS栅极和PMOS源漏极位于PMOS区域内；所述PMOS半导体层由P型掺杂多晶硅材料制成； 所述NMOS半导体层、NMOS栅极和NMOS源漏极位于NMOS区域内；所述NMOS半导体层由氧化物材料制成。2.如权利要求1所述的CMOS电路结构，其特征在于，所述氧化物材料为铟镓氧化锌IGZ0、氧化锌ZnO、氧化铟锌ΙΖ0、铟锡氧化锌ΙΤΖ0。3.如权利要求1所述的CMOS电路结构，其特征在于，还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：任章淳，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11