【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及弹性表面波(SAW:Surface Acoustic Wave)元件等弹性波元件及使用该弹性波元件的弹性波装置。
技术介绍
众所周知有具备压电基板、设在压电基板的主面上的IDT (Inter DigitalTransducer)电极(激发电极)、及覆盖IDT电极的保护层的弹性波元件(例如专利文献I或2)。保护层例如由SiO2形成，从而有助于抑制IDT电极的腐蚀和补偿IDT电极的特性的温度变化等。专利文献2指出:在上述那样的具有保护层(SiO2膜)的弹性波元件中，若IDT电极由Al或以Al为主要成分的合金形成，则无法获得足够的反射系数(段落0009)。而且还提出:通过将IDT电极由密度比Al大的金属或以该金属为主要成分的合金形成，能获得比较高的反射系数(权利要求1等)。需要说明的是，虽然不是反射系数所涉及的事项，但专利文献I及2提出:为了提高IDT电极与SiO2膜之间的贴紧性而在IDT电极与SiO2膜之间形成贴紧层(专利文献I的段落0011、专利文献2的段落0107)。在专利文献I及2中，贴紧层以不对SAW的传播造成影响的方式较薄地形成。具体而言，贴...
【技术保护点】
一种弹性波元件，具备：压电基板；电极，其以Al为主要成分，且位于该压电基板的上表面；第一膜，其位于该电极的上表面；和绝缘层，其以氧化硅为主要成分，覆盖该第一膜和所述压电基板中从所述电极露出的部分，且距离所述压电基板的上表面的厚度比所述电极及所述第一膜的合计的厚度大，所述第一膜以声阻抗比所述电极的材料及所述绝缘层的材料大且弹性波的传播速度比所述电极的材料及所述绝缘层的材料慢的材料为主要成分。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.12.28 JP 2010-294051;2011.05.31 JP 2011-121621.一种弹性波元件，具备: 压电基板； 电极，其以Al为主要成分，且位于该压电基板的上表面； 第一膜，其位于该电极的上表面；和 绝缘层，其以氧化硅为主要成分，覆盖该第一膜和所述压电基板中从所述电极露出的部分，且距离所述压电基板的上表面的厚度比所述电极及所述第一膜的合计的厚度大， 所述第一膜以声阻抗比所述电极的材料及所述绝缘层的材料大且弹性波的传播速度比所述电极的材料及所述绝缘层的材料慢的材料为主要成分。2.根据权利要求1所述的弹性波元件，其中， 所述第一膜以Ta205、TaSi2及W5Si2中的任一种为主要成分。3.根据权利要求2所述的弹性波元件，其中， 所述压电基板是128° ±10° Y-X切割的LiNbO3基板。4.根据权利要求3所述的弹性波元件，其中， 所述第一膜以Ta2O5为主要成分，该第一膜的归一化厚度t/λ处在下述的式(I)的范围内，0.5706 (Τ/ λ )2-0.3867Τ/ λ +0.0913 彡 t/ λ ^ T/λ -0.1...式(I) 在此，τ/λ是绝缘层的归一化厚度，t是第一膜的厚度，T是绝缘层的厚度，λ是弹性波的波长。5.根据权利要求3所述的弹性波元件，其中， 所述第一膜以TaSi2为主要成分，该第一膜的归一化厚度t/λ处在下述的式(2)的范围内，0.3995 (Τ/ λ ) 2-0.2675Τ/ λ +0.0657 彡 t/ λ ^ T/λ -0.1...式(2) 在此，τ/λ是绝缘层的归一化厚度，t是第一膜的厚度，T是绝缘层的厚度，λ是弹性波的波长。6.根据权利要求3所述的弹性波元件，其中， 所述第一膜以W5Si2为主要成分，该第一膜的归一化厚度t/λ处在下述的式(3)的范围内，0.2978 (Τ/ λ )2-0.1966Τ/ λ +0.0433 ≤ t/ λ ≤ T/λ -0.1...式(3) 在此，τ/λ是绝缘层的归一化厚度，t是第一膜的厚度，T是绝缘层的厚度，λ是弹性波的波长。7.根据权利要求1所述的弹性波元件，其中， 所述弹性波元件具有根据所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：西井润弥，岸野哲也，田中宏行，小林京平，山本显嗣，下园雅久，生田贵纪，西村道明，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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