一种蓝相液晶显示器装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术为一种蓝相液晶显示器装置，其结构包括：上偏振片、上基板、中间部分、下基板和下偏振片；其位置按照入射光线通过顺序由下至上依次为下偏振片、下基板、中间部分、上基板和上偏振片；中间部分的组成为蓝相液晶(BPLC)、第一Pixel电极、第二Pixel电极、细缝，绝缘层、Common电极和凸起物。本实用新型专利技术通过引入细缝结构和底面Common电极，通过Pixel电极与Common电极形成的边缘场，有效地增加电极上方的光透过率，从而有效的增加了蓝相液晶显示器的光利用率。同时，可以将Pixel电极与其下方的Common电极作为存储电容使用，减少单独存储电容的制作，提高了蓝相液晶显示器的实际开口率（透光面积）。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术设计的是一种液晶显示
的装置，具体是一种增大蓝相液晶(BPLC)显示器透过率的装置。
技术介绍
蓝相液晶显示器具有毫秒以下的响应时间、视角宽和对比度高的特点，并且在制作过程中不需要取向层，也不需要对液晶层厚度做很严格的限制，制作成本低，制造工艺更简单，从而被认为最有潜力成为下一代液晶显示器。传统蓝相液晶显示器是以共面转换液晶显示器的驱动电极形式来进行驱动的，需要制作存储电容来获得高的电压保持率，由于在电极和制作存储电容的区域只有少量的光透过，并且驱动电压也比较高。采用带有细缝的像素电极和在像素电极下方设置公共电极，形成电极上方的透光和像素电极下的存储电容，增大了透光区域，提高了透光率，但是驱动电压，相比传统共面转换的驱动电极结构增大了。为了降低驱动电压，人们曾提出采用凸起物和凸起的电极结构来降低驱动电压，并通过优化凸起物形状，获得了较高的透过率和较低的驱动电压，但是由于整个像素还是需要制作额外的存储电容来保持电压，所以整体的透光率不高。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术中存在的缺点，提供一种简单有效的提高光利用率的装置，同时驱动电压与传统共面转换电极结构的驱动电压差不多。本技术在凸起物上设置带细缝结构的Pixel电极及其下方的Common电极,通过调整细缝的宽度和条数，使其在凸起物上或者凸起物斜边上产生边缘场，有效的提高蓝相液晶显示器的光利用率，因为Pixel电极与Common电极构成存储电容，减少单独制作存储电容的部分，增大了液晶显示器的实际开口率。本技术的技术方案为:一种蓝相液晶显示器装置，其结构包括:上偏振片、上基板、中间部分、下基板和下偏振片；其位置按照入射光线通过顺序由下至上依次为下偏振片、下基板、中间部分、上基板和上偏振片；中间部分的组成为蓝相液晶(BPLC)、第一 Pixel电极、第二 Pixel电极、细缝，绝缘层、Common电极和凸起物，其中上基板与下基板之间的中间部分为以下两中分布方式任一:分布方式一:下基板的上表面上均勻间隔分布有凸起物，Common电极覆盖在凸起物上，绝缘层覆盖在Common电极和下基板上,第一 Pixel电极与第二 Pixel电极交相覆盖在均匀间隔的凸起物上面的绝缘层上面，第一 Pixel电极或第二 Pixel电极在凸起物上面的顶端与底端之间存在细缝；第一Pixel电极与第二Pixel电极加极性相反电势，蓝相液晶填充在上基板和下基板之间的空隙；或者，分布方式二:下基板的上表面为等间距排列条形Common电极，下基板的空白部分和Common电极上面覆盖一层绝缘层,绝缘层进行压平处理，凸起物位于Common电极的正上方，凸起物的截面底部宽度小于Common电极,第一 Pixel电极3与第二 Pixel电极4位于绝缘层6和凸起物10上方,第一 Pixel电极3或第二 Pixel电极4在凸起物的顶端和低端之间存在细缝5，第一 Pixel电极3与第二 Pixel电极4加极性相反电势，蓝相液晶填充在上基板和下基板之间的空隙；所述凸起物横向截面形状为三角形或梯形，纵向投影形状为矩形或成“之”字状，高度为液晶层厚的一半，范围为:2-10 μ m ；所述的细缝是通过刻蚀ITO电极得到，细缝和细电极的宽度范围可根据Pixel电极大小与工艺进行调整，细缝的宽度通常在2-5 μ m，每条细电极的宽度为1-5 μ m。所述的Pixel电极和Common电极的电极厚度范围是:20nm-250nm。所述凸起物间距的范围是:5-20 μ m。所述的液晶层厚度范围:5-20 μ m。与现有技术对比，本技术的有益效果是:通过引入细缝结构和底面Common电极，通过Pixel电极与Common电极形成的边缘场,有效地增加电极上方的光透过率,从而有效的增加了蓝相液晶显示器的光利用率。同时，可以将Pixel电极与其下方的Common电极作为存储电容使用，减少单独存储电容的制作，提高了蓝相液晶显示器的实际开口率(透光面积)。通过以下参考附图的详细说明，本技术的其他方面和特征变得明显。但是应该知道，该附图仅仅是为了解释的目的设计，而不是作为本技术涉及范围的设定。附图说明下面将结合附图，对本技术的具体实施方式进行详细的说明，其中:图1是实施例1的结构示意图，Ca)为下基板表面的俯视图，(b)为剖面图；图2是实施例1的V-T曲线图，方块线为现有的IPS结构，点线为凸起形电极，三角线为本实施例结构。图3是实施例2的结构示意图，Ca)为俯视图，(b)为剖面图；图4是实施例2的V-T曲线图，方块线为现有的IPS结构，点线为凸起形电极，三角线为本实施例结构。图5是实施例3的结构示意图，Ca)为俯视图，(b)为剖面图；图6是实施例3的V-T曲线图，方块线为现有的IPS结构，点线为凸起形电极，三角线为本实施例结构。图7是实施例4的结构示意图，Ca)为俯视图，(b)为剖面图；图8是实施例4的V-T曲线图，方块线为现有的IPS结构，点线为凸起形电极，三角线为本实施例结构。图9是传统IPS结构和本实施例结构中的透光区域图。具体实施方式以下结合附图对本技术的实施进一步描述:本实施例在以本技术技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本技术的保护范围不限于下属的实施例。实施例1如图1所示(其中(a)为下基板表面的俯视图，(b)为剖面图)，本实施例的蓝相液晶显示器装置的结构包括:上偏振片1、上基板2、蓝相液晶(BPLC)、第一 Pixel电极3、第二Pixel电极4、细缝5,绝缘层6、Common电极7、下基板8、下偏振片9和三角形凸起物10,其中:上部中上偏振片I的下表面与上基板2的上表面相连，下部中下偏振片9的上表面与下基板8的下表面相连，其它组成在上基板2与下基板8之间，其中下基板8的上表面上均匀间隔分布有凸起物10，Common电极7覆盖在凸起物10上，绝缘层6覆盖在Common电极7和下基板上，第一 Pixel电极3与第二 Pixel电极4交相覆盖在均匀间隔的凸起物10上面的绝缘层6上面，第一 Pixel电极3或第二 Pixel电极4在凸起物上面的顶端与底端之间存在细缝5 ;第一 Pixel电极3与第二 Pixel电极4加极性相反电势，蓝相液晶填充在上基板和下基板之间的空隙；所述上基板2与下基板8的间距为12 μ m。凸起物为透明的氮化硅或者二氧化硅材料，其横向剖面形状为宽8 μ m，高4μπι的三角形，纵向俯视形状为矩形，长度等于像素电极的长度，每列凸起物的间距为15 μ m。所述细缝5是通过光刻工艺实现的，其俯视图为矩形，每个Pixel电极上分别刻蚀两条细缝5，外圈的电极整体宽度为10 μ m，外圈电极条宽度为I μ m，中间的电极条为3 μ m，狭缝的宽度为2.5μηι。所述的第一 Pixel电极3、第二 Pixel电极4和Common电极7的电极为透明导电电极，材料为氧化铟锡材料或者其它透明导电材料，厚度为100nm，带有狭缝的第一 Pixel电极3与第二 Pixel电极4宽度和长度为10 μ m和40 μ m,第一 Pixel电极3与第二 Pixel电极4间距为15 μ m。所述的绝缘层材料为氮化硅或者二氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蓝相液晶显示器装置，其特征为该装置包括：上偏振片、上基板、中间部分、下基板和下偏振片；其位置按照入射光线通过顺序由下至上依次为下偏振片、下基板、中间部分、上基板和上偏振片；中间部分的组成为蓝相液晶(BPLC)、第一Pixel电极、第二Pixel电极、细缝，绝缘层、Common电极和凸起物。

【技术特征摘要】
1.一种蓝相液晶显示器装置，其特征为该装置包括:上偏振片、上基板、中间部分、下基板和下偏振片； 其位置按照入射光线通过顺序由下至上依次为下偏振片、下基板、中间部分、上基板和上偏振片；中间部分的组成为蓝相液晶(BPLC)、第一 Pixel电极、第二 Pixel电极、细缝，绝缘层、Common电极和凸起物。2.如权利要求1所述的蓝相液晶显示器装置，其特征为其中上基板与下基板之间的中间部分为以下两中分布方式任一: 分布方式一:下基板的上表面上均勻间隔分布有凸起物，Common电极覆盖在凸起物上，绝缘层覆盖在Common电极和下基板上,第一 Pixel电极与第二 Pixel电极交相覆盖在均匀间隔的凸起物上面的绝缘层上面，第一 Pixel电极或第二 Pixel电极在凸起物上面的顶端与底端之间存在细缝；第一Pixel电极与第二Pixel电极加极性相反电势，蓝相液晶填充在上基板和下基板之间的空隙； 或者，分布方式二:下基板的上表面为等间距排列条形Common电极，下基板的空白部分和Common电极上面覆盖一层绝缘层,绝缘层进行压平处理，...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙玉宝，栗鹏，
申请(专利权)人：河北工业大学，
类型：新型
国别省市：天津;12