一种EUV光源污染物收集装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种EUV光源污染物收集装置，应用于X射线或者EUV发光装置，其中，所述EUV发光装置包括：一激光源，一真空腔，一集光镜，一喷嘴，其中，EUV光源污染物收集装置包括：一收集罩，收集罩位于真空腔内，用于在激光束打击靶材后收集靶材碎片，减少对EUV光源及其相连光刻机的污染；一储存装置，储存装置位于真空腔的下方，储存装置用于收集靶材和/或污染物。本发明专利技术的EUV光源污染物收集装置能够减少靶材碎片等污染物对EUV光源及其相连光刻机的污染，提高其使用寿命，同时降低污染物对EUV光的吸收，大幅度提高EUV光源的效率。本发明专利技术能够回收并循环利用靶材，因此能够大幅度提高靶材的利用效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种EUV光源污染物收集装置。
技术介绍
由于半导体行业对集成电路(IC, Integrated Circuits)的集成度要求越来越高，传统的可见光或者紫外光刻机已无法满足行业发展需求，市场需求性能更为优良的光刻设备来维持整个产业的高速发展势头。众所周知，光刻分辨率与投影物镜的数值孔径成反比，与曝光波长成正比。因此，为了提高光刻分辨率，下一代光刻机将采用波长更短的EUV光(也称为软X射线，其中包括波长在13.5nm附近的光)来取代现有的可见光及紫外光，以进一步提高光刻分辨率和IC的集成度。产生X射线或EUV (Extreme Ultra Violet极紫外)光的主要途径是将材料转换为含有至少一种元素的等离子态，从而获得EUV光。目前的转换方法主要有两种，“激光产生等离子体”(LPP, Laser Produced Plasma)和“放电产生等离子体”(DPP, DischargeProduced Plasma)。LPP技术主要通过高功率的激光器轰击靶材产生EUV光，该技术已较为成熟，最为人们所看好。本申请专利技术人在实现本申请实施例中专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种EUV光源污染物收集装置，应用于EUV发光装置，其特征在于，其中，所述EUV发光装置包括：一激光源，所述激光源用于发生激光束，打击靶材，产生等离子体，发出X射线或EUV光；一真空腔，所述真空腔用于保持真空环境，提供EUV光的存在环境；一集光镜，所述集光镜位于所述真空腔内，用于聚集所述EUV光；一喷嘴，所述喷嘴位于所述真空腔的上部，用于提供激光等离子体的靶材；其中，所述EUV光源污染物收集装置包括：一收集罩，所述收集罩位于所述真空腔内，用于在所述激光束冲击所述靶材后收集污染物；一储存装置，所述储存装置位于所述真空腔的下方，用于收集所述靶材和/或所述污染物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宗明成，孙裕文，李世光，黄有为，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11