【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
等离子体成膜装置作为用于在基板上成膜非晶硅薄膜、微晶硅薄膜等薄膜的装置，正在广泛被使用。在当前，还正在开发能够高速、一次成膜例如如在薄膜硅太阳能电池的发电层、平板显示屏中使用的薄膜晶体管那样的大面积薄膜的等离子体成膜装置。为了成膜大面积的硅薄膜，一般使用平行平板型等离子体成膜装置。平行平板型等离子体成膜装置在真空腔内具有隔开数mm到数十mm距离而相对的第I电极和第2电极。通常电极被设置在水平面内，向第I电极供给高频电力，第2电极被接地。在对硅薄膜进行成膜的情况下，通过在第I电极构成的多个孔，向成为放电空间的电极间的间隙供给硅烷(SiH4)、氢(H2)等成膜气体。利用高频电力把被供给到放电空间的气体等离子化。成膜气体在等离子体中被分解，成为原子团、离子，而向被成膜基板入射，在基板上形成硅膜。一般地，成为被接地侧的第2电极被用作载物台，载置被成膜基板。近年来，为了响应成膜品质、提高成膜速度这样的需求，正在大力研究把使用频率比以往一般的13.56MHz高的VHF(Very High Frequency:甚高频)频带的高频电力来生成的VHF等...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.15 JP 2010-2068281.一种高频电力供给装置，所述高频电力供给装置向包括第I电极和与上述第I电极相对配置的第2电极的平行平板电极的上述第I电极供给高频电力，其特征在于，具备: 第I高频电源以及第2高频电源，对上述第I电极的分离的位置，分别供给高频电力；以及 电力切换单元，以使上述第I高频电源的供给电力以及上述第2高频电源的供给电力按照包括高电平和低电平的多个电平来进行变化的方式进行脉冲调制，指示切换上述第I高频电源以及上述第2高频电源的供给电力的电平，以使得包括第I期间、第2期间以及第3期间，该第I期间是上述第I高频电源的供给电力为高电平、且上述第2高频电源的供给电力为低电平的期间，该第2期间是上述第2高频电源的供给电力为高电平、且上述第I高频电源的供给电力为低电平的期间，该第3期间是上述第I高频电源的供给电力和上述第2高频电源的供给电力都为比低电平高的电平的期间。2.根据权利要求1所述的高频电力供给装置，其特征在于， 在上述第I期间，上述第2高频电源停止电力的供给，在上述第2期间，上述第I高频电源停止电力的供给。3.根据权利要求1所述的高频电力供给装置，其特征在于， 使在上述第I期间的上述第I高频电源的供给电力与在上述第2期间的上述第2高频电源的供给电力相同，在上述第3期间，上述第I高频电源以及上述2高频电源供给比在上述第I期间的上述第I高频电源的供给电力小的电力。4.根据权利要求3所述的高频电力供给装置，其特征在于， 在上述第3期间，上述第I高频电源以及上述第2高频电源供给在上述第I期间的上述第I高频电源的供给电力 的1/2的电力。5.根据权利要求1 4中的任一项所述的高频电力供给装置，其特征在于， 还具备在上述第I高频电源的供给电力与上述第2高频电源的供给电力之间提供相位差的单元。6.根据权利要求1 5中的任一项所述的高频电源供给装置，其特征在于， 上述第I高频电源的供给电力与上述第2高频电源的供给电力之间的相位差是O弧度或者π弧度。7.根据权利要求1 6中的任一项所述的高频电力供给装置，其特征在于， 上述第I期间、上述第2期间以及上述第3期间的各自的持续时间的设定值、上述第I期间、上述第2期间以及上述第3期间的顺序的设定值、上述第I期间、上述第2期间以及上述第3期间中的上述第I高频电源以及上述第2高频电源的各自的供给电力的设定值是相互独立的。8.根据权利要求7所述的高频电力供给装置，其特征在于， 上述第I期间、上述第2期间以及上述第3期间的顺序的设定值、上述第I期间、上述第2期间以及上述第3期间中的上述第I高频电源以及上述第2高频电源的各自的供给电力的设定值以一定周期反复相同的设定值。9.根据权利要求1 8中的任一项所述的高频电力供给装置，其特征在于， 向上述第I电极开始供给高频电力起到停止供给为止的整个供给期间中的上述第I期间、上述第2期间以...
【专利技术属性】
技术研发人员：池田知弘，滝正和，津田睦，藤原伸夫，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：
国别省市：
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