本发明专利技术提供能实现良好的通信特性和机械强度的兼顾、具有有利于耦合用电极的小型化的构造的天线装置。耦合用电极（18）包括：在电介质的一个面形成有接地（12）的电介质基板（11）；以及在与形成有电介质基板（11）的接地（12）的面对置的面形成的布线（15）。耦合用电极（18）与配置于与天线装置对置的位置的其他天线装置的电极进行电磁场耦合而能进行通信。耦合用电极（18）具有多个折回部，并且包含通信波长的大致一半的长度的布线（15）。在布线（15）之中，在一个端部形成作为信号的输入输出端的连接端子（19），另一个端部与接地（12）电连接。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及利用既定的通信波长、通过在对置的一对电极间的电磁场耦合而进行信息通信的天线装置以及装入有该天线装置的通信装置。本申请以在日本国于2010年9月15日申请的日本专利申请号码特愿2010-206930、以及日本专利申请号码特愿2010-206931为基础而主张优先权，通过参照而在本申请中引用这些申请。
技术介绍
近年来，在计算机、小型便携终端等电子设备间，不经由电缆、媒介而通过无线传输音乐、图像等数据的系统被开发出来。在这样的无线传输系统中，存在着在数cm的近距离能达到最大560Mbps程度的高速转送的技术。在这样的能高速转送的传输系统中，TransferJet (注册商标)虽然通信距离短但具有被窃听的可能性低、传输速度快这些优点。TransferJet (注册商标)是隔开超近距离通过对应的高频耦合器的电磁场耦合而实现的技术，其信号质量依赖于高频耦合器的性能。例如，如图21所示，专利文献I所记载的高频耦合器具备:在一个面形成有接地202的印刷基板201、形成于印刷基板201的另一个面的微带(microstrip)构造的短截线(stub)203、稱合用电极208、以及连接该稱合用电极208和短截线203的金属线207。另外，在专利文献I所记载的高频耦合器中，在印刷基板201上还形成有收发电路205。另外，在专利文献I中，记载有作为未在印刷基板201上形成收发电路205的变形例的结构，如图22所示，该变形例具备:在一个面形成有接地202的印刷基板201、形成于印刷基板201的另一个面的微带构造的短截线203、耦合用电极208、以及连接该耦合用电极208和短截线203的金属线207。现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特开2008-311816号公报。
技术实现思路
然而，如图21所示，在专利文献I所记载的高频耦合器中，为了进行良好的通信，需要增大板状的耦合用电极208的面积。这是因为:由于依赖于通信波长的一定的长度是必要的，以及为了增强耦合强度，必须增大耦合用电极208。另外，因为需要金属线207在既定的位置连接耦合用电极208和短截线203，所以也将产生在制作时要求对位精度等工序上的问题。本专利技术是鉴于这样的实际情况而提出的，其目的在于提供能实现良好的通信特性和机械强度的兼顾，并且具有有利于耦合用电极的小型化的构造的天线装置。另外，本专利技术的目的在于提供装入有该天线装置的通信装置。作为用于解决上述课题的方案，本专利技术所涉及的天线装置是利用既定的通信波长、通过在对置的一对电极间进行电磁场耦合而进行信息通信的天线装置，其特征在于，包括形成于电介质基板、与其他天线装置的电极进行电磁场耦合而能进行通信的耦合用电极，耦合用电极由长度为通信波长的大致一半的第I布线以及与第I布线电连接的导体构成，第I布线的中央部和导体形成于沿诱导体基板的厚度方向对置的位置，与配置于连结第I布线的中央部和导体的延长线上的其他天线装置的电极进行电磁场耦合。另外，本专利技术所涉及的通信装置是利用既定的通信波长、通过在对置的一对电极间进行电磁场耦合而进行信息通信的通信装置，其特征在于，包括:形成于电介质基板、与其他天线装置的电极进行电磁场耦合而能进行通信的耦合用电极；以及与耦合用电极电连接，进行信号的收发处理的收发处理部，耦合用电极由长度为通信波长的大致一半的第I布线以及与第I布线电连接的导体构成，第I布线的中央部和导体形成于沿诱导体基板的厚度方向对置的位置，与配置于连结第I布线的中央部和导体的延长线上的其他天线装置的电极进行电磁场耦合。因为本专利技术的由长度为通信波长的大致一半的第I布线以及与第I布线电连接的导体构成的耦合用电极形成于电介质基板，所以能够实现良好的机械强度和天线装置整体的小型化。另外，因为本专利技术与配置于连结第I布线的中央部和导体的延长线上的其他天线装置的电极进行电磁场耦合，所以在第I布线的中央部信号电平处于较高的状态，由此效率良好地沿基板的厚度方向发射电场的纵波，由此与配置于对置的位置的其他耦合用电极之间的耦合强度变强，能够实现良好的通信特性。如上，本专利技术能实现良好的通信特性和机械强度的兼顾，能够谋求装置整体的小型化。附图说明图1是示出装入有应用了本专利技术的天线装置的通信系统的结构的 图2是示出作为应用了本专利技术的天线装置的第I实施方式所涉及的高频耦合器的结构的 图3是示出在第I实施方式所涉及的高频耦合器中，在高频耦合器之间的通信状态的立体 图4是示出在第I实施方式所涉及的高频耦合器的中心截面上的电场解析结果的电场分布 图5是示出在第I实施方式所涉及的高频耦合器的电极面上Imm处的电场解析结果的电场分布 图6是示出第I实施方式所涉及的高频耦合器和基准耦合器之间的耦合强度的解析结果的频率特性 图7是示出作为应用了本专利技术的天线装置的变形例所涉及的高频耦合器的结构的图；图8是示出变形例所涉及的高频耦合器和基准耦合器之间的耦合强度的解析结果的频率特性 图9是示出作为应用了本专利技术的天线装置的第2实施方式所涉及的高频耦合器的结构的 图10是示出在第2实施方式所涉及的高频耦合器中，在高频耦合器之间的通信状态的立体图； 图11是示出在第2实施方式所涉及的高频耦合器的中心截面上的电场解析结果的电场分布 图12是示出在第2实施方式所涉及的高频耦合器的电极面上Imm处的电场解析结果的电场分布 图13是示出第2实施方式所涉及的高频耦合器和基准耦合器之间的耦合强度的解析结果的频率特性 图14是示出作为应用了本专利技术的天线装置的第3实施方式所涉及的高频耦合器的结构的 图15是示出作为应用了本专利技术的天线装置的第3实施方式所涉及的高频耦合器的结构的 图16是示出，在第3实施方式所涉及的高频耦合器中，在高频耦合器之间的通信状态的立体 图17是示出在第3实施方式所涉及的高频耦合器中的电场向量的解析截面的立体 图18是示出在第3实施方式所涉及的高频耦合器的中心截面上的电场解析结果的电场分布 图19是示出在第3实施方式所涉及的高频耦合器的电极面上Imm处的电场解析结果的电场分布 图20是示出第3实施方式所涉及的高频耦合器和基准耦合器之间的耦合强度的解析结果的频率特性 图21是示出现有例所涉及的高频耦合器的结构的 图22是示出现有例所涉及的高频耦合器的结构的图。具体实施例方式以下，参照附图对用于实施本专利技术的方式详细地进行说明。此外，本专利技术并不限于以下的实施方式，不言而喻可以在不脱离本专利技术的要点的范围内进行各种变更。〈通信系统〉 应用了本专利技术的天线装置是通过在对置的一对电极间的电磁场耦合而进行信息通信的装置，是装入例如图1所示的、能进行560Mbps程度的高速转送的通信系统100而被使用的装置。通信系统100由2个进行数据通信的通信装置101、105构成。在此，通信装置101包括:具有耦合用电极103的高频耦合器102 ;以及收发电路部104。另外，通信装置105包括:具有耦合用电极107的高频耦合器106 ;以及收发电路部108。当如图1所示使通信装置101、105各自具备的高频耦合器102、105相对地配置时,2个稱合用电极103、107作为一个电容器而动作，作为整体以带通滤波器的方式动作，因此能够在2个高频耦合器本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.15 JP 2010-206930;2010.09.15 JP 2010-206931.一种天线装置，利用既定的通信波长、通过在对置的一对电极间进行电磁场耦合而进行信息通信， 其特征在于，包括: 耦合用电极，形成于电介质基板，与其他通信装置的电极进行电磁场耦合而能进行通 目， 所述耦合用电极由长度为所述通信波长的大致一半的第I布线以及与该第I布线电连接的导体构成， 所述第I布线的中央部和所述导体形成于沿所述诱导体基板的厚度方向对置的位置，与配置于连结该第I布线的中央部和该导体的延长线上的所述其他天线装置的电极进行电磁场f禹合。2.按权利要求1所述的天线装置，其特征在于， 所述导体是形成于所述电介质基板的一个面的接地层， 所述第I布线具有如下构造:以具有多个折回部的方式在与形成有所述接地层的面对置的所述电介质基板的面上形成，在该第I布线之中，在一个端部形成信号的输入输出端，另一个端部与该接地层电连接。3.按权利要求2所述的天线装置，其特征在于，在所述耦合用电极，连接有从形成于所述第I布线的输入输出端分支的既定长度的短截线。4.按权利要求1所述的天线装置，其特征在于， 所述第I布线形成于所述电介质基板的一个面， 所述导体由所述通信波长的大致一半的长度构成，在与形成有所述第I布线的面对置的所述电介质基板的面形成，是一个端部经由通孔与该第I布线连接的第2布线， 所述第I布线和所述第2布线的从未与所述通孔连接的端部离开通信波长的1/4的各位置，夹着所述电介质基板而相对置。5.按权利要求4所述的天线装置，其特征在于，所述第I布线和所述第2布线的具有多个折回部的蛇曲形状的布线的一端彼此经由通孔连接。6.按权利要求5所述的天线装置，...
【专利技术属性】
技术研发人员：久村达雄，
申请(专利权)人：迪睿合电子材料有限公司，
类型：
国别省市：
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