一种具有大电流跨度的正向和负向驱动电路制造技术

技术编号:8685164 阅读:202 留言:0更新日期:2013-05-09 04:52
本发明专利技术公开一种具有大电流跨度的正向和负向驱动电路,能够解决大电流跨度、多类型、多负载的指令驱动,通过较小的指令控制信号驱动输出大跨度的控制电流,输出的控制电流能够从4mA到1.5A。所述驱动电路包括正向指令驱动电路和负向指令驱动电路,正向指令驱动电路通过两个NPN型三极管、两个PNP型三极管、两个稳压管及一系列电阻来实现;负向指令驱动电路通过四个NPN型三极管、两个稳压管及一系列电阻来实现。该驱动电路能够用于二维指令驱动大功率负载的指令控制端,其中采用正向指令驱动电路实现二维指令行控制信号的驱动,负向指令驱动电路实现二维指令的列控制信号的驱动。

【技术实现步骤摘要】

专利技术涉及一种驱动电路,具体涉及一种具有大电流跨度的正向和负向驱动电路,属于电子

技术介绍
通讯卫星平台控制设备是通过采集舱内组件、部件的传感器遥测参数,分析传感器的状态,再通过控制指令完成舱内组、部件的有效控制,从而完成航天器的飞行任务。针对通讯卫星公用平台的任务特点,要求我们的电子设备完成不同类型的组件、部件的指令控制。由于舱内的组件、部件类型不同,使指令驱动存在电流跨度大和负载瞬态特性差异大的特点,为此需要设计通用的二维指令驱动电路,用于公用平台多负载、多类型组、部件的指令驱动。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供一种具有大电流跨度的正向和负向指令驱动电路,能够解决大电流跨度、多类型、多负载的指令驱动,通过较小的指令控制信号驱动输出大跨度的控制电流,输出的控制电流能够从4mA到1.5A。本专利技术的具有大电流跨度的正向和负向驱动电路包括:正向指令驱动电路和负向指令驱动电路。所述负向指令驱动电路包括供电电源Ul,电阻Rl,电阻R2,电阻R3,电阻R4,电阻R5,电阻R6,电阻R7,电阻R8,晶体管Ql,晶体管Q2,晶体管Q3,晶体管Q4,稳压管VI,稳压管V2 ;所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有大电流跨度的正向和负向驱动电路,其特征在于,包括:正向指令驱动电路和负向指令驱动电路;所述负向指令驱动电路包括供电电源U1,电阻R1,电阻R2,电阻R3,电阻R4,电阻R5,电阻R6,电阻R7,电阻R8,晶体管Q1,晶体管Q2,晶体管Q3,晶体管Q4,稳压管V1,稳压管V2;所述晶体管Q1,晶体管Q2,晶体管Q3和晶体管Q4均为NPN型三极管;其连接关系为:所述负向指令驱动电路的输入控制端分别与稳压管V1和稳压管V2的阴极相连,稳压管V1的阳极通过电阻R1与晶体管Q1的基极相连,电阻R3的一端与晶体管Q1的基极相连,另一端接地;晶体管Q1的集电极通过电阻R6与供电电源U1相连,发射极与...

【技术特征摘要】
1.一种具有大电流跨度的正向和负向驱动电路,其特征在于,包括:正向指令驱动电路和负向指令驱动电路; 所述负向指令驱动电路包括供电电源Ul,电阻Rl,电阻R2,电阻R3,电阻R4,电阻R5,电阻R6,电阻R7,电阻R8,晶体管Q1,晶体管Q2,晶体管Q3,晶体管Q4,稳压管VI,稳压管V2 ;所述晶体管Q1,晶体管Q2,晶体管Q3和晶体管Q4均为NPN型三极管; 其连接关系为:所述负向指令驱动电路的输入控制端分别与稳压管Vl和稳压管V2的阴极相连,稳压管Vl的阳极通过电阻Rl与晶体管Ql的基极相连,电阻R3的一端与晶体管Ql的基极相连,另一端接地;晶体管Ql的集电极通过电阻R6与供电电源Ul相连,发射极与晶体管Q2的基极相连,晶体管Q2的集电极作为该驱动电路的输出端;所述电阻R5的一端与晶体管Q2的基极相连,另一端接地;所述稳压管V2的阳极通过电阻R2与晶体管Q3的基极相连,电阻R4的一端与晶体管Q3的基极相连,另一端接地;所述晶体管Q3的集电极通过电阻R8与供电电源Ul相连,发射极与晶体管Q4的基极相连,晶体管Q4的集电极与晶体管Q2的发射极相连,晶体管Q4的发射极接地;所述电阻R7的一端与晶体管Q4的基极相连,另一端接地; 所述正向指令驱动电路包括供电电源Ull,电阻Rll,电阻R21,电阻R31,电阻R41,电阻R51,电阻R61,电阻R71,电阻R81,晶体管Ql I,晶体管Q21,晶体管Q31,晶体管Q41,二极管VII,二极管V21,稳压管V51,稳压管V61 ;其中晶体管Qll和晶体管Q21为NPN型三极管,晶体管Q31和晶体管Q41为PNP型二极管,二极管Vll和二极管V21均为快恢复二极管; 其连接关系为:所述正向指令驱动电路的输入控制端分别与稳压管V51和稳压管V61的阴极相连,所述稳压管V51的阳极通过电阻Rll与晶体管Qll的基极相连,晶体管Qll的集电极依次经过电阻R61和电阻R51与供电电源Ull相连,晶体管Qll的发射极与二极管Vll的阳极相连,二极管Vll的阴极接地;所述电阻R31的一端与Qll的基极相连,另一端接地;所述晶体管Q31的基极接在电阻R51与电阻R61之间,发射极与供电电源Ull相连;所述稳压管V61的阳极通过电阻R21与晶体管Q21的基极相连,晶体管Q21的集电极经过阻R81与晶体管Q41的 基极相连,晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员:高山王争社杨青栾晓娜曹大成
申请(专利权)人:中国航天科技集团公司第五研究院第五一三研究所
类型:发明
国别省市:

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