一种用于射频产品测试的射频开关矩阵制造技术

技术编号:8684524 阅读:179 留言:0更新日期:2013-05-09 04:18
本发明专利技术涉及一种用于射频产品测试的射频开关矩阵,该射频开关矩阵包括至少一个一级衰减器,所述一级衰减器连接RD机电同轴开关组,所述RD机电同轴开关组连接至少一个二级衰减器,所述RD机电同轴开关组用于连通一级衰减器和/或二级衰减器。本发明专利技术射频开关矩阵不但保护了测试仪器不被烧毁的,同时还降低了衰减器的成本,通过RD机电同轴开关组选择启用一级衰减器或二级衰减器,使得不需要经过两级衰减的被测件的测试精度更高,保障了射频产品测试的准确性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电气开关装置,尤其涉及一种用于射频产品测试的射频开关矩阵
技术介绍
在无线电通讯领域研发和生产过程中,通常需要对射频产品的进行射频性能测试。产品测试过程中,通常使用相同的测试仪器对不同输出功率的产品进行测试,如果没有对测试仪器进行保护,很容易出现因输出功率过高而导致测试仪器被烧毁的情况,提高产品生产成本。因此,目前在射频产品测试时,通常在被测产品与测试仪器之间设置衰减器,降低被测产品的输出功率以保护测试仪器不被烧毁。如果被测产品的输出功率较大,而衰减器的功率较小,经过衰减后也不能实现保护测试仪器的目的。因此为了达到测试仪器保护的目的,使用的衰减器的功率较大,因此成本较高。此外,如果被测产品的输出功率较低,经过衰减器衰减后会使得输出信号不稳定,进而造成测试不准确,即对于输出功率较低的被测产品不需要经过较大功率的衰减器进行衰减。因此使用一个较大功率的衰减器对所有被测产品进行衰减会造成测试不准确,成本较高。
技术实现思路
本专利技术解决的目的在于克服现有技术中存在的测试成本高、测试不准确的不足,提供一种用于射频产品测试的射频开关矩阵,通过本专利技术射频开关矩阵保护测试仪器,不但避免了测试仪器被烧毁的情况发生,而且还降低了测试成本,保障了测试的准确度。为解决上述技术问题,本专利技术提供了以下技术方案: 一种用于射频产品测试的射频开关矩阵,包括至少一个一级衰减器,所述一级衰减器连接RD机电同轴开关组,所述RD机电同轴开关组连接至少一个二级衰减器,所述RD机电同轴开关组用于连通一级衰减器和/或二级衰减器;当被测射频产品的输出功率小于设定门限阈值时,所述RD机电同轴开关组连通一级衰减器或二级衰减器;当被测射频产品的输出功率大于或等于设定门限阈值时,所述RD机电同轴开关组同时连通一级衰减器和二级衰减器。本专利技术用于射频产品测试的射频开关矩阵,设置有一级衰减器、二级衰减器和RD机电同轴开关组,通过RD机电同轴开关组选择连通一级衰减器和/或二级衰减器,一级衰减器的一端与被测射频产品的输出端连接,可通过一级衰减器将被测射频产品的输出功率进行衰减,降低被测射频产品的输出功率,再通过RD机电同轴开关组选择是否需要启用二级衰减器,如果经过一级衰减后的输出功率仍然大于测试仪器能够承载的功率,则选择启用二级衰减器,否则不启用二级衰减器,RD机电同轴开关组直接连通测试仪器。通过一级衰减器和二级衰减器实现被测件输出功率的衰减,避免了使用一个大功率的衰减器,保护测试仪器不被烧毁的同时降低了衰减器的成本,通过RD机电同轴开关组选择启用一级衰减器或二级衰减器,使得不需要经过两级衰减的被测件的测试精度更高,保障了射频产品测试的准确性。设置一级衰减器和二级衰减器的目的是保护测试仪器不至于因为被测射频产品的输出功率过高而被烧毁。各种测试仪器能承载的功率不同,因此所述设定门限阈值可根据测试仪器所能承受的最大功率而调整。根据本专利技术实施例,所述RD机电同轴开关组包括至少一个转换开关,所述一级衰减器与转换开关连接,所述一个转换开关与一个二级衰减器连接,所述转换开关用于选择连通二级衰减器。当需要使用二级衰减器时,通过转换开关连通二级衰减器,然后再连通测试仪器;如果不需要使用二级衰减器,则转换开关直接连通测试仪器。根据本专利技术实施例,所述RD机电同轴开关组包括至少一个单刀双掷开关和至少一个单刀多掷开关,所述单刀双掷开关的一个接口直接与所述单刀多掷开关连接,单刀双掷开关的一个接口通过一级衰减器与单刀多掷开关连接,单刀多掷开关与二级衰减器连接。如果需要使用一级衰减器时,单刀双掷开关连通一级衰减器,一级衰减器与单刀多掷开关连接;如果不需要使用一级衰减器,则单刀双掷开关直接连通单刀多掷开关。进一步优选的,所述RD机电同轴开关组包括至少两个单刀双掷开关和至少一个单刀多掷开关,所述单刀双掷开关中的至少一个单刀双掷开关的一端与一级衰减器连接,另一端与所述单刀多掷开关连接,剩下的至少一个单刀双掷开关与单刀多掷开关连接,单刀双掷开关用于连通单刀多掷开关或负载,单刀多掷开关与二级衰减器连接。如果需要使用一级衰减器时,与一级衰减器连接的单刀双掷开关中的一个连通单刀多掷开关,其余的单刀双掷开关连通负载;如果不需要使用一级衰减器,则未与一级衰减器连接的单刀双掷开关中的一个连通单刀多掷开关,其余的单刀双掷开关连通负载。通过至少两个单刀双掷开关实现一级衰减器的选择,单刀双掷开关的一端与负载连接,当一个单刀双掷开关与单刀多掷开关连通时,其余的单刀双掷开关均与负载连接,防止了信号通过被测件的其余的输出端口(被测件的输出端口与单刀双掷开关连接)泄露出去,造成测试不准确。进一步优选的,所述转换开关和二级衰减器均为至少两个,所述单刀多掷开关与转换开关之间还设有单刀双掷开关。测试时,转换开关与测试仪器连接,设置至少两个转换开关,各个转换开关可连接不同的测试仪器,通过单刀多掷开关与转换开关之间的单刀双掷开关选择所需的测试仪器,避免了不同测试项目搭建不同测试台,避免了测试资源的浪费,也提高了测试效率。进一步优选的,所述单刀多掷开关为单刀六掷开关。至少两个单刀双掷开关占用单刀六掷开关的至少两个接口,单刀六掷开关中剩下的接口则作为扩展接口,与被测射频产品的输出端连接,适用于输出端口较多的射频产品。扩展接口也可与测试仪器连接,增加测试仪器,满足不同的测试项目。本专利技术还提供了一种射频产品测试系统,该测试系统包括射频开关矩阵,所述射频开关矩阵连接测试仪器和被测件,所述被测件连接信号源,所述信号源、测试仪器和射频开关矩阵连接PC机,射频开关矩阵包括至少一个一级衰减器,所述一级衰减器连接RD机电同轴开关组,所述RD机电同轴开关组连接至少一个二级衰减器,所述RD机电同轴开关组用于连通一级衰减器和/或二级衰减器。与现有技术相比,本专利技术的有益效果是: 1、本专利技术用于射频产品测试的射频开关矩阵,设置有一级衰减器、二级衰减器和RD机电同轴开关组,通过RD机电同轴开关组选择连通一级衰减器和/或二级衰减器,实现被测件输出功率的衰减,避免了使用一个大功率的衰减器,保护测试仪器不被烧毁的同时降低了衰减器的成本,通过RD机电同轴开关组选择启用一级衰减器或二级衰减器,使得不需要经过两级衰减的被测件的测试精度更高,保障了射频产品测试的准确性。2、本专利技术用于射频产品测试的射频开关矩阵设置有至少两个转换开关,可连接至少两个测试仪器,可实现多个测试项目测试。射频开关矩阵中设置有至少两个单刀双掷开关,可连接至少被测件的至少两个输出通道,可实现射频产品不同的测试链路相互切换,减少产品在测试过程中的换装次数,避免了人为换装过程中的误操作造成的仪器烧毁,同时节约了测试时间,提高了测试效率。3、单刀多掷开关的使用使得射频开关矩阵具有扩展接口,通过扩展端口可增减测试仪器或被测件的测试端口,避免了不同测试项目搭建不同测试台造成的测试资源浪费,同时提高了测试效率。附图说明图1为本专利技术射频开关矩阵的结构示意 图2为本专利技术射频开关矩阵用于射频产品测试的连接示意 图3为本专利技术射频开关矩阵的工作流程图。具体实施例方式下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步的说明。本专利技术的实施方式不限于以下实施例,在不脱离本专利技术宗旨的前提下做出的各种变化均属于本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于射频产品测试的射频开关矩阵,其特征在于,包括至少一个一级衰减器,所述一级衰减器连接RD机电同轴开关组,所述RD机电同轴开关组连接至少一个二级衰减器,所述RD机电同轴开关组用于连通一级衰减器和/或二级衰减器;当被测射频产品的输出功率小于设定门限阈值时,所述RD机电同轴开关组连通一级衰减器或二级衰减器;当被测射频产品的输出功率大于或等于设定门限阈值时,所述RD机电同轴开关组同时连通一级衰减器和二级衰减器。

【技术特征摘要】
1.一种用于射频产品测试的射频开关矩阵,其特征在于,包括至少一个一级衰减器,所述一级衰减器连接RD机电同轴开关组,所述RD机电同轴开关组连接至少一个二级衰减器,所述RD机电同轴开关组用于连通一级衰减器和/或二级衰减器; 当被测射频产品的输出功率小于设定门限阈值时,所述RD机电同轴开关组连通一级衰减器或二级衰减器;当被测射频产品的输出功率大于或等于设定门限阈值时,所述RD机电同轴开关组同时连通一级衰减器和二级衰减器。2.根据权利要求1所述的用于射频产品测试的射频开关矩阵,其特征在于,所述RD机电同轴开关组包括至少一个转换开关,所述一级衰减器与转换开关连接,所述一个转换开关与一个二级衰减器连接,所述转换开关用于选择连通二级衰减器。3.根据权利要求2所述的用于射频产品测试的射频开关矩阵,其特征在于,如果启用二级衰减器,则通过转换开关连通二级衰减器,再连通测试仪器;否则转换开关直接连通测试仪器。4.根据权利要求1所述的用于射频产品测试的射频开关矩阵,其特征在于,所述RD机电同轴开关组包括至少一个单刀双掷开关和至少一个单刀多掷开关,所述单刀双掷开关的一个接口直接与所述单刀多掷开关连接,单刀双掷开关的一个接口通过一级衰减器与单刀多掷开关连接,单刀多掷开关与二级衰减器连接。5.根据权利要求4所述的用于射频产品测试的射频开关矩阵,其特征在于,如果启用一级衰减...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡建强波
申请(专利权)人:成都芯通科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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