一种太阳电池钝化减反射膜及其制备工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳电池钝化减反射膜及其制备工艺方法。该制备工艺方法采用PECVD，在硅片表面沉积一层二氧化硅膜，再在做好的二氧化硅膜上沉积一层折射率较高的氮化硅层，最后在高折射率氮化硅层上再沉积一层折射率较低的氮化硅层。该制备工艺方法其操作方便、作业成本低、可对电池表面进行良好钝化和良好减反射性能，由该工艺制备的钝化减反射膜，其比传统单层或双层氮化硅膜更显著地提高太阳电池的开路电压、短路电流以及电池效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳电池片加工过程中的电池片处理
，尤其涉及对太阳电池片表面进行镀膜处理的一种工艺。
技术介绍
要提高晶体硅太阳电池的效率，应尽量提高硅基底对太阳光的吸收，降低硅片表面的反射率，而为了达到这个目的，除了对硅片进行制绒形成绒面，增加光在硅片表面的入射次数外，还可以在电池表面镀一层或多层减反射膜，目前工业上大规模生产的方法是采用管式PECVD设备在扩散后的硅片表面沉积氮化硅薄膜。氮化硅薄膜具有两个主要作用:良好的减反射效果，降低硅片表面反射率；薄膜内丰富的氢离子可以钝化表面悬挂键、晶界等缺陷态，减少非平衡载流子的复合中心，从而降低表面复合速率，提高电池的开路电压、短路电流。在PECVD过程中，氮化硅膜的折射率、消光系数和钝化效果主要由硅的含量来决定，随着反应气体中硅烷含量的增加，膜的折射率增大，消光系数增大，更多的光会被膜吸收而难以到达硅表面，减小了电池的短路电流，但钝化效果增强了，减少了表面复合几率；反之，如果反应气中氨气含量增加，则膜的折射率和消光系数变小，钝化效果较差，前表面复合速率增加，但光的透过率也增大。所以，目前工厂普遍采用双层镀膜工艺，内层采用高折射率本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳电池钝化减反射膜，其特征在于其包括：沉积在硅片表面的一二氧化硅膜层；沉积在所述二氧化硅膜层上的折射率较高的第一氮化硅层；以及沉积在所述第一氮化硅层上的折射率较低的第二氮化硅层。

【技术特征摘要】
1.一种太阳电池钝化减反射膜，其特征在于其包括:沉积在娃片表面的一二氧化娃膜层；沉积在所述二氧化硅膜层上的折射率较高的第一氮化硅层；以及沉积在所述第一氮化硅层上的折射率较低的第二氮化硅层。2.根据权利要求1所述的太阳电池钝化减反射膜，其特征在于:所述二氧化硅膜层的折射率η为1.3 < η < 1.7 ;所述第一氮化硅层的折射率η为2.0 < η < 2.5 ;所述第二氮化硅层的折射率1.5 < η〈2.0。3.权利要求1或2所述的太阳电池钝化减反射膜制备工艺方法，其特征在于:采用PECVD，在硅片表面沉积一层二氧化硅膜，再在做好的二氧化硅膜上沉积一层折射率较高的第一氮化硅层，最后在高折射率氮化硅层上再沉积一层折射率较低的第二氮化硅层。4.根据权利要求3所述的太阳电池钝化减反射膜制备工艺方法，其特征在于包括以下步骤: 1)将扩散后的硅片插在石墨舟上； 2)石墨舟上桨，在导轨带动下进入镀膜炉管，管内通入反应气体硅烷，其流量为100-1000sccm,02流量为l_5slm,射频源放电使反应气体电离并发生化合反应,从而在娃片表面沉积一层SiO2膜； 3)在上述的二氧化硅膜层上再沉积一层折射率较高的第一氮化硅层； 4)在上述折射率较高的第一氮化硅层上再沉积一层折射率较低的第二氮化硅层； 5)镀膜工艺结束，桨进入炉管将石墨舟退出，待硅片冷却后用真空笔从舟中取出。5.根据权利要求3所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：艾斌，赖键均，贾晓洁，叶雄新，梁杭伟，吴含封，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：