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本发明公开了一种太阳电池钝化减反射膜及其制备工艺方法。该制备工艺方法采用PECVD，在硅片表面沉积一层二氧化硅膜，再在做好的二氧化硅膜上沉积一层折射率较高的氮化硅层，最后在高折射率氮化硅层上再沉积一层折射率较低的氮化硅层。该制备工艺方法其操...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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