【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路领域，尤其涉及一种ROM存储器及其版图。
技术介绍
在电子计算机以及其他一些数字系统的工作过程中，需要对大量的数据进行存储。因此，存储器也就成了这些数字系统不可缺少的组成部分。现有的存储器种类很多，从存、取功能上可以分为只读存储器(Read-OnlyMemory,简称ROM)和随机存储器(Read Access Memory,简称RAM)两大类。其中，只读存储器在正常工作状态下只能从中读取数据，断电以后数据不会消失。传统ROM有一个或多个MOS管构成，并以一个MOS管作为基本存储单元。在每个基本存储单元中，MOS管的栅极连接字线，漏极连接位线，源极接地，通过位线与MOS管漏极的连通状态来控制MOS管的开关状态，从而存储信息。由于工艺规则的限制，ROM基本存储单元的面积无法做到跟随工艺尺寸成比例缩小，而且一个基本存储单元只能存储I比特信息，单位信息的存储面积偏大。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种ROM存储器及其版图，以降低单位信息的存储面积。该ROM存储器包括:至少一个MOS管、位线和字线，其中，每个MOS管的漏极对应着至少两条位线。...
【技术保护点】
一种ROM存储器，包括：至少一个MOS管、位线和字线，其特征在于，每个MOS管的漏极对应着至少两条位线。
【技术特征摘要】
1.一种ROM存储器，包括:至少一个MOS管、位线和字线，其特征在于，每个MOS管的漏极对应着至少两条位线。2.根据权利要求1所述ROM存储器，其特征在于，所述ROM存储器包括一个MOS管和三条位线。3.根据权利要求1所述ROM存储器，其特征在于，所述ROM存储器包括两个MOS管和三条位线，且每个MOS管的漏极对应着三条位线。4.根据权利要求3所述ROM存储器，其特征在于，两个MOS管共用源极，且所述源极接地。5.根据权利要求1所述ROM存储器，其特征在于，所述ROM存储器包括两个MOS管和四条位线，且每个MOS管的漏极对应着两条位线。6.根据权利要求5所述ROM存储器，其特征在于，两个MOS管的栅极连接同一字线。7.根据权利要求1所述R...
【专利技术属性】
技术研发人员：于跃，郑坚斌，
申请(专利权)人：苏州兆芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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