一种用于NAND FLASH的均衡损耗实现方法技术

本发明专利技术公开一种用于NAND?FLASH的均衡损耗实现方法，该方法包括局部均衡实现方法及全局均衡实现方法，该方法根据NAND?FLASH总块数及系统性能需求，按照分配为LOG块，针对每个LOG块的擦写次数，优先分配擦写次数最低的LOG块作为新数据的存储块以实现LOG块内的局部均衡实现方法；并通过将数据块中擦写次数相对较少的数据块记录到COLD-DATA-POOL中，判断比较等步骤实现全局均衡，本方法可有效避免因COLD-DATA导致的对NAND?FLASH造成的擦除次数不均衡，可有效提高NAND?FLASH的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于NAND FLASH的均衡损耗。
技术介绍
NAND FLASH作为一种非挥发性(简单说就是不加电的情况下数据也不会丢失，区别于目前常用的计算机内存)的半导体存储芯片，具有体积小，功耗低，不易受到物理破坏的优点，是移动数码产品的理性存储介质。闪存的结构，是由很多块组成，每个块包括一定数目的页，每一页均包含一个数据区和冗余区，数据区用来存储数据，而冗余区通常被用于ECC、均衡损耗(wear leveling)和其他软件开销功能，尽管他在物理上与其它也并没有区别。NAND FLASH进行写操作时，必须先将对应的块中的内容清空，然后再写入，也就是通常说的“先擦后写”。一般来说，NAND FLASH的使用寿命是由存储单元的最大擦除次数决定的，随着存储单元的擦写次数的增加，该存储单元最终变为只读状态，从而成为坏块。为了延长存储设备的使用寿命，行之有效的方法是在尽量小的影响性能的前提下，均衡使用存储设备中的所有存储单元，而不让某个或某几个存储单元被过度使用，这种均衡使用存储设备中的存储单元的技术称为均衡损耗(wear leveling)技术。下面简单介绍目前常见的用于NA本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于NAND?FLASH的均衡损耗实现方法，能够实现局部的均衡损耗，其特征在于包括以下步骤：(1)将NAND?FLASH内的块BLOCK划分为LOG块区及DATA块区，实时记录LOG块区及DATA块区中所有块的擦写次数；(2)当有新数据需要向某个DATA块写入或更新时，将此DATA块作为原DATA块，若存在与原DATA块对应的LOG块且此LOG块可用，则直接将此LOG块作为存储DATA块写入或更新数据；若存在与原DATA块对应的LOG块但此LOG块不可用，或者不存在原DATA块对应的LOG块，则在LOG块区中选用擦除次数最少的可用LOG块做为存储DATA块写入或更新数据；若所有LOG块均不...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张志永，宗宇，
申请(专利权)人：北京时代民芯科技有限公司，北京微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：