固态存储系统、装置及数据写入方法制造方法及图纸

本发明专利技术适用于存储技术领域，提供了一种固态存储系统的数据写入方法，所述固态存储系统包括若干逻辑盘，所述方法包括：从每个所述逻辑盘分配至少一空闲逻辑块，用于接收并行数据，每个所述逻辑块包括若干逻辑页；将各个所述逻辑块中页号相同的所述逻辑页设为一个磁盘阵列组，每个所述磁盘阵列组用于储存一组并行数据，以及所述并行数据的校验信息；当一个所述逻辑页中的数据被破坏时，通过所述逻辑页所在的磁盘阵列组储存的其它数据以及校验信息计算恢复所述被破坏的数据。本发明专利技术还提供一种实现上述方法的固态存储系统。借此，本发明专利技术在一个逻辑盘出错的情况下可以恢复该盘数据，且不需要增加额外的成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及储存
，尤其涉及一种。
技术介绍
MLC(Mult1-Level Cell,多层单兀)Nand Flash 相对 SLC(Single-Level Cell,单层单元)Nand flash有更高的存储密度，在固态硬盘领域有着越来越广泛的应用。MLC NandFlash—个存储单元(memory cell)可以存储2bits的信息,这2bits分属于两个不同的page,这样的一组page叫couple pages,存低位比特的叫low page,存高位比特的叫uppage,它执行写有以下两个约束:l)Low page必须在up page之前被写入；2)Up page在写入过程中被打断，比如异常掉电，uppage的信息会丢失,而且它对应的low page的信息也可能会丢失，而low page不会影响其up page。现有技术通过额外提供备用电源或超级电容，当主电源断电时，由备用电源供电保证当前正在写的数据成功写入到Nand Flash中。但这种解决方式需要提供外部的硬件支持，增加了成本和硬件复杂性，综上可知，现有的固态存储数据的写入方法，在实际使用上显然存在不便与缺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固态存储系统的数据写入方法，所述固态存储系统包括若干逻辑盘，其特征在于，所述方法包括：从每个所述逻辑盘分配至少一空闲逻辑块，用于接收并行数据，每个所述逻辑块包括若干逻辑页；将各个所述逻辑块中页号相同的所述逻辑页设为一个磁盘阵列组，每个所述磁盘阵列组用于储存一组并行数据，以及所述并行数据的校验信息；当一个所述逻辑页中的数据被破坏时，通过所述逻辑页所在的磁盘阵列组储存的其它数据以及校验信息计算恢复所述被破坏的数据。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李建，徐伟华，
申请(专利权)人：记忆科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：