一种非易失性内存的磨损错误恢复方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提出一种非易失性内存的磨损错误恢复方法，包括以下步骤：S1，将非易失性内存行划分为多个内存块；S2，检测多个内存块中发生磨损错误的内存块；S3，将发生磨损错误的内存块重映射到备份内存块中；以及S4，将发生磨损错误的内存块中的内存地址读写请求重定向到备份内存块中的备份内存地址。采用该方法能够提高非易失性内存的可靠性，延长其使用寿命。本发明专利技术同时还提出一种非易失性内存的磨损错误恢复装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及数据存储
，特别涉及一种非易失性内存的磨损错误恢复方法和装置。
技术介绍
在非易失存储介质发展的过程中，新兴的非易失性内存NVRAM (Non-VolatileRandom Access Memory,非易失性随机访问存储器)正在逐步成为易失性内存的可替代产品。与DRAM (Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器)相比，非易失性内存例如PCRAM(Phase-Change Memory,相变存储内存)，两者的访问速度相近，但在相同芯片面积上PCRAM可以提供更大的容量，扩展性更好，能耗低，且有数据非易失等特点。然而，大部分非易失性内存技术包括PCRAM技术在内，都存在磨损问题，非易失性内存的存储单元在写操作超过一定次数后，都会出现磨损错误，例如对于PCRAM的存储单元，其写次数上限为IO8 —101°次。当PCRAM的写次数超过该阈值时，PCRAM的存储单元的值将固化在某一状态上，例如为O或I,造成该bit (binary digit,位)存储单元的数据不能写入,从而引起PCRAM存储单元的磨损错误，造成该单元数据不能继续写本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性内存的磨损错误恢复方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，将非易失性内存行划分为多个内存块；S2，检测所述多个内存块中发生磨损错误的内存块；S3，将所述发生磨损错误的内存块重映射到备份内存块中；以及S4，将所述发生磨损错误的内存块中的内存地址读写请求重定向到所述备份内存块中的备份内存地址。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡事民，朱龙云，赵鹏，廖学良，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：