用于光学发射分析的改善的火花室制造技术

一种用于光学发射分析器的火花室(110)包括：定位在该火花室(110)的一个第一侧上的一个进气口(125)，该进气口用于将一种气体供应到该火花室(110)中；以及定位在该火花室(110)的一个第二侧上的一个出气口(135)，该出气口被安排成从该火花室(110)运输该气体；其中一个狭长电极(140)被定位在该火花室(110)内，该电极具有总体上沿狭长方向的一个电极轴线(142)；并且其中：该火花室(110)的该第一侧和该第二侧在总体上垂直于该电极轴线(142)的方向上位于该狭长电极(140)的两侧；在该进气口与该出气口之间存在穿过该火花室(110)的一个气流轴线(159)；并且在沿从该进气口(125)到该出气口(135)的气流轴线(159)而过时，该火花室(110)的垂直于该气流轴线的无阻碍的内部截面积在一个因数A内保持恒定，其中A位于1.0与2.0之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及火花光学发射光谱法的领域。确切地讲，本专利技术涉及一种用于光学发射分析仪的改善的火花室。背景火花光学发射光谱法是被用于分析固体样品的一种众所周知的技术。光学发射光谱法可以用例如一个火花或电弧来进行。为了方便，如在此所使用的，术语火花光学发射光谱法是指采用放电来激发样品(例如像一个火花或电弧)的任何光学发射光谱法，并且术语火花室是指用于进行任何放电的一个室。一个固体样品典型地被安放在一个火花台(也被称为彼德雷台(Petrey’ s stand))的工作台上。该火花台进一步包括一个火花室，在该火花室内的是被定向成朝向该样品表面呈锥形末端的一个电极。该火花台的工作台在火花室壁中具有一个开口，样品被安放在该开口的上方，该开口通常具有一个气密密封件。除了其锥形末端之外,该电极由一个绝缘体包围。一放电序列在该电极与该样品之间被启动,其中该样品充当一个对电极。该绝缘体促使向该样品而不是该室壁放电。在这些放电附近的样品材料被蒸发并且一定比例的蒸发的原子材料提升到了激发态。在弛豫时，该原子材料发射多个光子，这些光子的能量是该材料中的元素的特征。对这些发射的光子的分光镜分析能够推导出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.03 GB 1014657.91.一种用于光学发射分析器的火花室，该火花室包括: (1)定位在该火花室的一个第一侧上的一个进气口，该进气口用于将一种气体供应到该火花室中；以及 (2)定位在该火花室的一个第二侧上的一个出气口，该出气口被安排成从该火花室运输该气体； 其中一个狭长电极被定位在该火花室内，该电极具有总体上沿狭长方向的一个电极轴线；并且其中: (a)该火花室的该第一侧和该第二侧在总体上垂直于该电极轴线的方向上位于该狭长电极的两侧； (b)在该进气口与该出气口之间存在穿过该火花室的一个气流轴线；并且 (C)在沿从该进气口到该出气口的该气流轴线而过时，该火花室的垂直于该气流轴线的无阻碍的内部截面积在一个因数A内保持恒定，其中A位于1.0与2.0之间。2.如权利要求1所述的火花室，其中A位于1.0与一个上限之间，该上限选自以下项中的一个:1.9、1.8、1.7、1.6、1.5、1.4、1.3、1.2 以及1.1。3.如权利要求1或2所述的火花室，其中该火花室包括一个部件，该部件被成形以便使该火花室的垂直于该气流轴线的该无阻碍的内部截面积在该因数A内恒定。4.如权利要求3所述的火花室，其中该部件是大体上包围该狭长电极的一个绝缘体。5.如权利要求4所述的火花室，其中该绝缘体不是关于该电极轴线旋转对称的。6.如权利要求5所述的火花室，其中该绝缘体具有一个高度，该高度在沿该气流轴线从该进气口向该狭长电极行进时增大并且在沿该气流轴线从该狭长电极向该出气口行进时减小。7.如以上权利要求中任一项所述的火花室，其中该火花室的内部体积是大体上圆柱形的...

【专利技术属性】
技术研发人员：JL多里耶，F德马科，E哈拉什，
申请(专利权)人：赛默飞世尔科技埃居布朗有限公司，
类型：
国别省市：