一种电源转换器中的高压启动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种高压启动电路，包括高压N型耗尽型晶体管，其漏端接HVDC端口；第一晶体管，其漏端连接耗尽型晶体管的源端；二极管，其正端连接变压器的线圈，负端连接第一晶体管的源端；变压器的线圈，其连接二极管的正端；储能电容，其一端连接二极管的负端；第二晶体管，其漏端连接第一晶体管的栅端和耗尽型晶体管的栅端，其栅端连接SD端口，接受SD端口信号的控制；电阻型器件，其一端连接耗尽型晶体管的源端，另一端连接耗尽型晶体管的栅端。本高压启动电路，避免了使用外置的启动电阻，系统集成度较高，且流经N型耗尽管电流较低，有效地降低了启动电路的电流损耗，降低了系统的待机功耗，且启动时间较快。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电源转换器中的电路，特别的，涉及一种降低系统待机损耗的电源转换器中的高压启动电路。
技术介绍
开关电源具有体积小，效率高以及电流大的优点，被广泛应用于各种场合。对于对电源进行管理的芯片，一般采用外置启动电阻的方法，实现从高压取电，完成降压和芯片的启动。附图说明图1为电源管理类芯片的启动应用的电路图，其中，I为整流器，2为滤波器，这两者先将市电整流，再进行滤波，形成直流电平。3为外置启动电阻，4为启动电容，5为市电输入的电源管理芯片。其中电源管理芯片5通过启动电阻4从直流线网取电，为启动电容4充电，当启动电容电平达到启动电压时，芯片5开始工作。由此可以看出来，启动电阻3上的电流并不能被关断，这是一路持续消耗的电流。参见公式(I )，启动电阻3消耗的功率由高压线网的输入电压(U)和启动电阻3(R)共同决定。所以为了降低这部分损耗，一般产品会选择较大阻值的电阻，用来降低功耗。

【技术保护点】
一种高压启动电路，其包括高压N型耗尽型晶体管，所述耗尽型晶体管为四端口器件，其中所述耗尽型晶体管的漏端接HVDC端口，从HVDC端口的电源取电；第一晶体管，所述第一晶体管为四端口器件，其中所述第一晶体管的漏端连接所述耗尽型晶体管的源端；二极管，所述二极管正端连接变压器的线圈，负端连接所述第一晶体管的源端；变压器的线圈，所述变压器的线圈连接所述二极管的正端；储能电容，所述储能电容的一端连接所述二极管的负端和所述第一晶体管的源端；第二晶体管，所述第二晶体管为四端口器件，其中所述第二晶体管的漏端连接所述第一晶体管的栅端和所述耗尽型晶体管的栅端，所述第二晶体管的栅端连接SD端口，接受SD端口信号的控制；电阻型器件，所述电阻型器件一端连接所述耗尽型晶体管的源端和所述第一晶体管的漏端，另一端连接所述耗尽型晶体管的栅端和所述第一晶体管的栅端。

【技术特征摘要】
1.一种高压启动电路，其包括 高压N型耗尽型晶体管，所述耗尽型晶体管为四端口器件，其中所述耗尽型晶体管的漏端接HVDC端口，从HVDC端口的电源取电； 第一晶体管，所述第一晶体管为四端口器件，其中所述第一晶体管的漏端连接所述耗尽型晶体管的源端； 二极管，所述二极管正端连接变压器的线圈，负端连接所述第一晶体管的源端； 变压器的线圈，所述变压器的线圈连接所述二极管的正端； 储能电容，所述储能电容 的一端连接所述二极管的负端和所述第一晶体管的源端；第二晶体管，所述第二晶体管为四端口器件，其中所述第二晶体管的漏端连接所述第一晶体管的栅端和所述耗尽型晶体管的栅端，所述第二晶体管的栅端连接SD端口，接受SD端口信号的控制； 电阻型器件，所述电阻型器件一端连接所述耗尽型晶体管的源端和所述第一晶体管的漏端，另一端连接所述耗尽型晶体管的栅端和所述第一晶体管的栅端。2.根据权利要求1所述的高压启动电路，其特征在于: 所述耗尽型晶体管是电压控制电流型器件，具有负的阈值电压。3.根据权利要求1所述的高压启动电路，其特征在于: 所述第一晶体管是隔离晶体管，或者非隔离晶体管。4.根据权利要求1所述的高压启动电路，其特征在于: 所述电阻型器件是电阻或者晶体管。5.根据权利要求1到4中任意一...

【专利技术属性】
技术研发人员：张楠，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：