【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路领域,尤其涉及一种用于数据卡输入限流的集成电路芯片。
技术介绍
现有3G数据卡中的部分电路可如图1所示,其包括限流集成电路芯片11、DC-DC输入电容12、DC-DC降压集成电路芯片13和功率发射模块14,其中,限流集成电路芯片11的输入端与外围计算机的USB接口 10连接,即以作为电源,该限流集成电路芯片11内部设有一级限流模块(图中未示),用于提供一个限流点的电流;DC-DC降压集成电路芯片13用于电压转化,例如将5V电压降为3.3V,从而为功率发射模块14提供其所需的电流波形;当3G数据卡在对外发射功率时,功率发射模块14需要在DC-DC降压集成电路芯片13的输出端抽取3A左右的电流,抽取时间分单时序(680us)和双时序(1.36ms)两种模式。但是由于限流集成电路芯片11的作用,其输出电流被限流(限制为500-900mA),发射功率时所需要的能量需要存储在DC-DC输入电容12上,一般电容值为750uF,由于考虑到DC-DC输入电容12所占的面积要小,容值要大,所以要采用钽电容,但如此大容量的钽电容会增加很大的成本,有些甚至被限制 ...
【技术保护点】
一种用于数据卡输入限流的集成电路芯片,其特征在于,所述芯片包括:MOS开关管;连接在外围的USB接口与所述MOS开关管之间的电流检测模块,检测流过该MOS开关管的负载电流;与所述电流检测模块连接的逻辑模块,其根据电流检测模块输出的检测信号控制所述芯片进入一级限流状态或二级限流状态,并控制所述芯片处于一级限流状态的时间最长为T;分别连接在所述逻辑模块与MOS开关管之间的一级限流模块和二级限流模块,其中,所述一级限流模块在芯片进入一级限流状态时控制MOS开关管输出的电流值最大为预设的一级限流点所限电流值;所述二级限流模块在所述芯片进入二级限流状态时控制MOS开关管输出的电流值最 ...
【技术特征摘要】
1.一种用于数据卡输入限流的集成电路芯片,其特征在于,所述芯片包括: MOS开关管; 连接在外围的USB接口与所述MOS开关管之间的电流检测模块,检测流过该MOS开关管的负载电流; 与所述电流检测模块连接的逻辑模块,其根据电流检测模块输出的检测信号控制所述芯片进入一级限流状态或二级限流状态,并控制所述芯片处于一级限流状态的时间最长为T ; 分别连接在所述逻辑模块与MOS开关管之间的一级限流模块和二级限流模块,其中, 所述一级限流模块在芯片进入一级限流状态时控制MOS开关管输出的电流值最大为预设的一级限流点所限电流值; 所述二级限流模块在所述芯片进入二级限流状态时控制MOS开关管输出的电流值最大为预设的二级限流点所限电流值。2.根据权利要求1所述的一种用于数据卡输入限流的集成电路芯片,其特征在于,所述电流检测模块将所述负载电流与二级限流点所限电流值比较,当所述负载电流大于二级限流点所限电流值时,所述逻辑模块控制芯片进入一级限流状态,否则,所述逻辑模块控制芯片进入二级限流状态。3.根据权利要求2所述的一种用于数据卡输入限流的集成电路芯片,其特征在于,所述逻辑模块包括: 串联的...
【专利技术属性】
技术研发人员:张炜华,陈力,
申请(专利权)人:钰泰科技上海有限公司,
类型:发明
国别省市:
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