【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种利用优化硅波导将多个边腔耦合光子晶体波导级联构成传感器阵列的实现方法,属于光子晶体传感器
技术介绍
光子晶体具有的光子禁带、光子局域、表面态、偏振等特性使其成为传感器制作材料新的突破点;由于光子晶体体积小,便于集成,所以利用光子晶体可制作集成化、小型化、便携式、低成本的传感器。到目前为止,光子晶体传感器主要有压力传感器(文献1,M. Winger,T.D.Blasius, T. P.Mayer Alegre,A. H. Safav1-Naeini, S. Meenehan, J.Cohen,S.Stobbe. A chip-scale integrated cavity-electro-optomechanics platform.Vol. 19,No. 25/0PTICS EXPRESS (2011)),位移传感器(文献 2,Chen-feng Fan,Chih-1unChiang, and Chin-ping Yu, ” Birefringent photonic crystal fiber coils andtheir app ...
【技术保护点】
一种基于级联硅波导与边腔耦合的光子晶体传感器阵列的实现方法,其中:该光子晶体传感器阵列是基于二维光子晶体的空气孔三角晶格结构,其中背景结构硅的折射率nsi=3.50。在每个光子晶体波导中分别引入一个结构简单的边腔,并用优化的硅波导将三个边腔耦合光子晶体波导级联,通过向空气孔中注入分析物实现传感。
【技术特征摘要】
1.一种基于级联硅波导与边腔耦合的光子晶体传感器阵列的实现方法,其中:该光子晶体传感器阵列是基于二维光子晶体的空气孔三角晶格结构,其中背景结构硅的折射率Hsi=3.50。在每个光子晶体波导中分别引入一个结构简单的边腔,并用优化的硅波导将三个边腔耦合光子晶体波导级联,通过向空气孔中注入分析物实现传感。2.根据权利要求1所述的实现方法,其特征在于光子晶体边腔的具体设计方法和级联硅波导的优化方法,本方案中边腔的设计是通过将两个空气孔分别向左和向右平移形成。3.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员:田慧平,杨伊,杨大全,黄家钿,纪越峰,
申请(专利权)人:北京邮电大学,
类型:发明
国别省市:
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