二次电子发射用铍铜合金制造技术

本发明专利技术提出一种二次电子发射用铍铜合金材料，其在150~1000V内二次电子发射呈峰状特性（在500~600V达到峰值），合金质量百分成分为：含铍2.7-3.0wt.%，含镍≤0.31wt.%，含铁≤0.058wt.%，含铝≤0.013wt.%,含硅≤0.028wt.%，含铅≤0.0020wt.%,含镉≤0.0020wt.%,含锌≤0.0020wt.%,其它杂质元素之和≤0.43wt.%。本发明专利技术在150~1000V内二次电子发射呈峰状特性，在500~600V达到峰值，峰值能到9以上，远远超过目前峰值为5的水平。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种二次电子发射用高铍铜合金材料，属于金属材料领域。
技术介绍
铍青铜是一种典型的沉淀硬化型合金，经固溶处理后再冷加工或时效处理可获得很高的强度和弹性，随着Be含量的增加，其时效硬度也相应增加。其成型性、抗疲劳性及应力松弛方面也是其它铜合金所不及的。由于铍青铜具有这些优良的二次电子发射性和弹性能被广泛用于电子、通讯、航天、航空等工业领域，制作各种高级弹性元件和电子元件。当材料与电子束作用时，其表面结构电子中的一部分可能获得足够的能量从材料表面逃出，这称为二次电子发射现象。它与背散射电子不同，当入射带电粒子为电子且其中的一些被反方向反射时即产生背散射电子，如果入射粒子不是电子，就不会有背散射电子产生(但仍可产生二次电子)。如果入射粒子为电子时，则同时产生背散射电子和二次电子。背散射电子的能量通常为入射电子能量的几分之一，而二次电子的能量较低，典型值小于IkeV，而且背散射电子产额相对于入射电子始终小于或等于1，而二次电子产额通常大于1，二次电子系数指的是二次电流Is与初级电子流Ip的比值。铍青铜合金，经处理在表面形成一薄层氧化铍，它是二次电子发射体的主要层，因此铍青铜合本文档来自技高网...

【技术保护点】
二次电子发射用铍铜合金，其特征在于成分为：含铍：2.7?3.0wt.%，含镍：≤0.31wt.%，含铁：≤0.058wt.%，含铝：≤0.013wt.%,?含硅：≤0.028wt.%，含铅：≤0.0020wt.%,?含镉：≤0.0020wt.%,?含锌：≤0.0020wt.%，其它杂质元素之和≤0.43wt.%，余量为铜。

【技术特征摘要】
1.二次电子发射用铍铜合金，其特征在于成分为:含铍:2.7-3.0wt.%，含镍:(0.31wt.%，含铁:彡 0.058wt.%，含铝:彡 0.013wt.%，含硅:彡 0.028wt.%，含铅:(0.0020wt.%，含镉:彡0.0020wt.%，含锌:彡0.0020wt....

【专利技术属性】
技术研发人员：刘楚明，朱戴博，韩坦，陈志永，万迎春，肖宏超，
申请(专利权)人：中南大学，湖南有色金属控股集团有限公司，
类型：发明
国别省市：