移位寄存器单元电路、移位寄存器、阵列基板及显示设备制造技术

本实用新型专利技术实施例提供一种移位寄存器单元电路、移位寄存器、阵列基板及显示设备，涉及液晶显示技术，在移位寄存器单元电路中添加第一薄膜晶体管,第一薄膜晶体管在帧开始信号为高电平，正向时钟信号由低电平变为高电平时，将PU点电平拉低，进而避免由于耦合电路的耦合作用使输出信号产生横线不良。本实用新型专利技术实施例提供的移位寄存器单元电路、移位寄存器、阵列基板及显示设备在实现双向扫描时避免了在高电平时产生不良的输出信号，有利于移动产品产能和良率的提升。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及液晶显示技术，尤其涉及一种移位寄存器单元电路、移位寄存器、阵列基板及显示设备。
技术介绍
在目前移动产品液晶面板的设计中，可实现双向扫描的移位寄存器电路作为一种栅极驱动电路已经得到了广泛应用，将双向扫描的移位寄存电路集成在阵列基板上，形成对面板的扫描驱动，不仅节约成本，而且面板可以做到两边对称的美观设计，也省去了门电路控制芯片的粘合区域和扇形布线区间，实现窄边框设计，同时由于可以省去门方向的粘合工艺，对产能和良率提升也比较有利。双向扫描的移位寄存器电路,包括一个首行移位寄存器单兀电路，一个尾行移位寄存器单元电路，以及至少一个中间移位寄存器单元电路。如图1a所示，为一种可行的首行移位寄存器单元电路图，由十个薄膜晶体管与一个电容构成，帧开始信号(STV)输入端连接于信号输入端(INPUT)，图1b所示，为与图1a所示首行移位寄存器单元电路图相匹配的尾行移位寄存器单元电路图，由十个薄膜晶体管与一个电容构成，帧开始信号输入端连接于信号重置端(RESET)，图1c为与图1a所示首行移位寄存器单元电路图、图1b所示尾行移位寄存器单元电路图相匹配的中间移位寄存器单元电路，由十个薄膜晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种移位寄存器单元电路，其特征在于，包括：?第一薄膜晶体管，栅极连接于帧开始信号输入端，源极连接关闭电压信号输入端、工作电压输入端或接地电压输入端；?第二薄膜晶体管，栅极连接所述第一薄膜晶体管的漏极，漏极连接正向时钟信号输入端，源极连接信号输出端；?第三薄膜晶体管，栅极连接信号输入端，漏极连接工作电压输入端，源极连接所述第一薄膜晶体管的漏极；?第四薄膜晶体管，栅极连接信号重置端，漏极连接所述第三薄膜晶体管的源极，源极连接接地电压输入端；?第五薄膜晶体管，栅极连接反向时钟信号输入端，漏极连接信号输出端，源极连接关闭电压信号输入端；?电容，正极连接所述第一薄膜晶体管的漏极，负极连接所述信号输出端。

【技术特征摘要】
1.一种移位寄存器单元电路，其特征在于，包括第一薄膜晶体管，栅极连接于帧开始信号输入端，源极连接关闭电压信号输入端、工作电压输入端或接地电压输入端；第二薄膜晶体管，栅极连接所述第一薄膜晶体管的漏极，漏极连接正向时钟信号输入端，源极连接信号输出端；第三薄膜晶体管，栅极连接信号输入端，漏极连接工作电压输入端，源极连接所述第一薄膜晶体管的漏极；第四薄膜晶体管，栅极连接信号重置端，漏极连接所述第三薄膜晶体管的源极，源极连接接地电压输入端；第五薄膜晶体管，栅极连接反向时钟信号输入端，漏极连接信号输出端，源极连接关闭电压信号输入端；电容，正极连接所述第一薄膜晶体管的漏极，负极连接所述信号输出端。2.如权利要求1所述的移位寄存器单元电路，其特征在于，还包括第六薄膜晶体管，其漏极连接反向时钟信号输入端；第七薄膜晶体管，其栅极连接所述电容的正极，漏极连接所述第六薄膜晶体管的源极，源极连接关闭电压信号输入端；第八薄膜晶体管，其栅极连接所述电容的正极，源极连接关闭电压信号输入端；第九薄膜晶体管，其栅极连接反向时钟信号输入端，漏极连接反向时钟信号输入端，源极连接所述第八薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：王世君，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：