发光二极管的驱动电路与其残影消除电路制造技术

技术编号:8594595 阅读:192 留言:0更新日期:2013-04-18 08:00
一种发光二极管的驱动电路与其残影消除电路,其残影消除电路包括残影消除单元与计数器单元,可根据灰阶脉波信号以决定一插黑期间,并在插黑期间中输出致能信号至残影消除单元。残影消除单元会在插黑期间拉高驱动电路的电流驱动端的电压以避免残影发生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种发光二极管的驱动电路,且特别是有关于一种具有残影消除功能的发光二极管的驱动电路。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode, LED)的体积小、省电且耐用,而且随着制程的成熟,价格下降,近来以发光二极管做为光源的产品越来越普遍。发光二极管在各种终端设备中被广泛使用,从汽车前照灯、交通信号灯、文字显示器、广告牌及大屏幕视频显示器,到普通及建筑照明和IXD背光等领域。请参照图1,其绘示先前技术的发光二极管的驱动装置示意图。发光二极管的驱动装置主要由驱动线选择器Iio与驱动电路120组成,驱动线选择器110可以选择所导通的驱动线L1、L2。每一条驱动线L1、L2分别连接多个发光二极管Dl D4,如图1所示。驱动电路120则是用来控制发光二极管Dl D4的驱动电流,其具有多个电流驱动端OUTl、0UT2,分别对应于不同行的发光二极管Dl D4。详细来说,驱动电路120中具有电流源电路,可以用来控制流进电流驱动端0UT1、0UT2的电流,以分别控制发光二极管Dl D4的亮度。在多扫(mult1-scanning)的驱动架构下,例如二扫或四扫,驱动线选择器110必须在同一图框周期中扫描多组发光二极管。在扫描切换过程中会因为发光二极管寄生电容而产生残影问题,残影现象会随着切换次数的增加而趋于严重。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光二极管的驱动电路与其残影消除电路,其驱动电路会在画面插黑时,将电流驱动端的电压拉高至高电位,以降低发光二极管的残影问题。本专利技术提出一种发光二极管的驱动电路,包括一电流驱动单元与一残影消除电路。电流驱动单元具有至少一电流驱动端,残影消除电路包括残影消除单元与计数器单元。残影消除单元耦接于电流驱动端,根据致能信号调整所述电流驱动端的电压位准。计数器单元耦接于残影消除单元,用以计数一灰阶脉波信号以决定一插黑期间,并在插黑期间中输出致能信号至残影消除单元。其中,残影消除单元根据致能信号提高电流驱动端的电压位准至一高电压位准。从另一个观点来看,本专利技术提出一种残影消除电路,适用于发光二极管的驱动电路,驱动电路中的电流驱动单元具有至少一电流驱动端,且所述电流驱动端的一输出时序是对应于一灰阶脉波信号。残影消除电路包括残影消除单元与计数器单元。残影消除单元耦接于所述电流驱动端,根据一致能信号调整所述电流驱动端的电压位准。计数器单元耦接于残影消除单元,用以计数一灰阶脉波信号以决定一插黑期间,并在该插黑期间中输出致能信号至残影消除单元。其中,残影消除单元根据致能信号提高所述电流驱动端的电压位准至一高电压位准。综上所述,本专利技术利用计数灰阶脉波信号来决定插黑期间,并在插黑期间中拉高电流驱动端的电压,藉此加快关闭发光二极管以减少残影发生的问题。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附图式,作详细说明如下。附图说明图1为现有技术的发光二极管的驱动装置示意图。图2为本专利技术第一实施例的发光二极管驱动装置的示意图。图3为本专利技术第一实施例的电流驱动单元222的局部电路示意图。图4为本专利技术第一实施例的驱动电路示意图。图5为本专利技术第二实施例的发光二极管的驱动电路示意图。图6为本专利技术第三实施例的发光二极管的驱动电路示意图。其中,附图标记说明如下110:驱动线选择器120:驱动电路L1、L2:驱动线Dl D4 :发光二极管OUTl、0UT2 电流驱动端200 :驱动装置210 :驱动线选择器220:驱动电路222 电流驱动单元223:残影消除电路224:残影消除单元226 :计数器单元231、232 :电压输出电路P1、P2 :PM0S 晶体管N1、N2 :NM0S 晶体管Dl D4 :发光二极管OUTl、0UT2 电流驱动端VDD:驱动电压VP:高电压GND :接地端DN :失能信号EN :致能信号GCK :灰阶频率信号DCK :数据频率信号D1、D0:数据信号LAT :栓锁信号322 :信道电路331 :位移缓存单元332 :栓锁单元333 :数据选择单元334 :脉波密度调变单元335:定电流驱动单元336 :扫描切换控制器337 :计数器单元410、420:电流源Sffl、SW2、SW3、SW4 :开关522 电流驱动单元524 :残影消除单元P51、P52 :PM0S 晶体管N5UN52 :NM0S 晶体管610、620 : 二极管624 :残影消除单元具体实施例方式在下文中,将结合附图说明本专利技术的实施例来详细描述本专利技术,而附图中的相同参考数字可用以表示类似的组件。(第一实施例)请参照图2,其绘示本专利技术第一实施例的发光二极管驱动装置的示意图。驱动装置200包括驱动线选择器210与驱动电路220。驱动线选择器210用以扫描驱动线L1、L2,其分别连接有多个发光二极管Dl D4。驱动线选择器210可以透过PMOS晶体管Pl与NMOS晶体管NI连接至驱动线LI,其中PMOS晶体管Pl则连接于驱动电压VDD与驱动线LI之间,而NMOS晶体管NI连接于接地端GND与驱动线LI之间。驱动线选择器210可以藉由控制PMOS晶体管Pl与NMOS晶体管NI,来决定是否提供驱动电压VDD至驱动线LI以驱动对应的发光二极管D1、D2。驱动线选择器210可以透过PMOS晶体管P2与NMOS晶体管N2连接至驱动线L2,其电路结构相似,不再赘述。驱动线选择器210可以配合不同的扫描方式,例如二扫或四扫,调整其电路架构,在此不再赘述。上述所谓二扫或四扫表示利用一个电流驱动端OUTl在同一图框周期中去驱动两组(行)或四组(行)发光二极管。驱动电路220包括电流驱动单元222与残影消除电路223。残影消除电路223尚包括计数器单元226与残影消除单元224,其中残影消除单元224具有多个电压输出电路231、232,分别耦接于电流驱动单元222的多个电流驱动端0UT1、0UT2,用来调整电流驱动端0UT1、0UT2的电压位准。计数器单元226耦接于残影消除单元224与电流驱动单元222,用以根据灰阶频率信号GCK决定画面的插黑期间,并在该插黑期间中输出一致能信号EN至残影消除单元224。电压输出电路231、232会根据致能信号EN,在插黑期间中,将电流驱动端0UT1、0UT2的电压位准拉高至一高电压准位。灰阶频率信号GCK为发光二极管驱动电路中常用的频率信号,主要是用来决定图框周期以及计算调整电流的脉波密度调变信号(pulse density modulation signal),但本实施例不限制于此。通常,驱动电路220会根据灰阶频率信号GCK决定电流驱动端OUTl、0UT2的输出时序,藉由选择性调整电流驱动端0UT1、0UT2的输出电流时序以调整发光二极管Dl D4的平均亮度。在插黑期间中,驱动电路220会将电流驱动端OUTl、0UT2的电流降低至零,也就是将发光二极管Dl D4关闭以插入黑画面。插入黑画面可以降低画面残影。因此,在插黑期间中,电流驱动单元222会失能以停止驱动发光二极管Dl D4。电流驱动单元222可以根据计数器单元226所输出的失能信号DN失能,也可以由外部信号控制而失能,只要时序上与插黑期间同步即可,本实施例不限制驱动电路220的控制方式。此外,电流驱动本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的驱动电路,其特征在于,该驱动电路包括:电流驱动单元,具有至少一电流驱动端;以及残影消除电路,包括:残影消除单元,耦接于上述电流驱动端,根据一致能信号调整上述电流驱动端的电压位准;以及计数器单元,耦接于该残影消除单元,用以计数一灰阶脉波信号以决定一插黑期间,并在该插黑期间中输出该致能信号至该残影消除单元;其中,该残影消除单元根据该致能信号提高上述电流驱动端的电压位准至一高电压位准。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的驱动电路,其特征在于,该驱动电路包括 电流驱动单元,具有至少一电流驱动端;以及 残影消除电路,包括 残影消除单元,耦接于上述电流驱动端,根据一致能信号调整上述电流驱动端的电压位准;以及 计数器单元,耦接于该残影消除单元,用以计数一灰阶脉波信号以决定一插黑期间,并在该插黑期间中输出该致能信号至该残影消除单元; 其中,该残影消除单元根据该致能信号提高上述电流驱动端的电压位准至一高电压位准。2.如权利要求1所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,该计数器单元更耦接于该电流驱动单元,用以输出该致能信号至该电流驱动单元,使该电流驱动单元在该插黑期间中失能。3.如权利要求1所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,该电流驱动单元包括 位移缓存单元; 栓锁单元,耦接于该位移缓存单元; 数据选择单元,耦接于该栓锁单元; 脉波密度调变单元,耦接于该数据选择单元; 定电流驱动单元,耦接于该脉波密度调变单元; 扫描切换控制器,耦接于该数据选择单元,用以选择一扫描数据;以及扫描计数器,耦接于该脉波密度调变单元,用以计数该灰阶脉波信号,以输出一计数信号至该脉波密度调变单元。4.如权利要求1所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,该残影消除单元包括至少一电压输出电路,分别耦接于上述电流驱动端,并受控于该致能信号,其中当上述电压输出电路接收到该致能信号时,分别输出一高电压至上述电流驱动端。5.如权利要求4所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,各该电压输出电路包括 一开关,具有一第一端、一第二端与一控制端,该开关的该第一端稱接于该高电压,该开关该第二端耦接于对应的上述电流驱动端其中之一,该开关的该控制端耦接于该致能信号。6.如权利要求5所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,该开关为NMOS晶体管或PMOS晶体管。7.如权利要求4所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,各该电压输出电路包括 一开关,具有耦接于该高电压的一第一端,以及耦接于该致能信号的一控制端;以及 一二极管,其阳极耦接于该开关的一第二端,其阴极耦接于对应的上述驱动端其中之一8.如权利要求1所述的发光二极管的驱动电路,其特征在于,该电流驱动单元具有至少一开关,分别耦接于各该电流驱动端的电流路径上,当该残影消除单元提高上述电流驱动端的电压位准至该高电压位准时,上述开...

【专利技术属性】
技术研发人员:林俊甫郭俊廷谢政翰
申请(专利权)人:明阳半导体股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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