【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储
，尤其涉及一种MLC(Mult1-Level Cell，多层单元)NAND型固态硬盘及读写控制方法、闪存控制器。
技术介绍
NAND型闪存可根据每一存储单元中可储存的位数区分为SLC (Single-LevelCell，单层单元)NAND型闪存与MLC NAND型闪存。SLC NAND型闪存芯片的每个存储单兀可以有两种状态闻电压或低电压,分别表示数据O和1，这样一个存储单元可以表示一个数据bit位。由多个物理存储单元组成一个物理页，该物理页可以表示相同数量的bit位，即逻辑页。MLC NAND型闪存芯片的每个存储单元可以有4种电压状态。MLC根据电压值不同，表示不同的数据。图1是一种MLC NAND型闪存芯片的存储单元的电压分布示意图，当电压处于(TA之间时表示数据11，当电压位于A、之间时表示数据10，当电压位于B飞之间时表示数据01，当电压位于(TD之间时表示数据00。这样一个存储单元可以表示两个数据bit位，MLCNAND型闪存芯片一个物理页为SLC NAND型闪存芯片一个物理页2倍数量的bit位。一般会分为和物理页相同大小的两个...
【技术保护点】
一种MLC?NAND型固态硬盘读写控制方法，用以将所述MLC型闪存芯片仿真为SLC型闪存芯片，其特征在于，所述方法包括如下步骤：将MLC型闪存芯片的一个物理页映射至两个相同大小逻辑页，其中一个逻辑页由所述物理页中的最低有效位映射组成，另外一个逻辑页由所述物理页中的最高有效位映射组成；对所述MLC型闪存芯片进行读写操作时，仅获取所述两个相同大小逻辑页的其中一个进行读写操作。
【技术特征摘要】
1.一种MLC NAND型固态硬盘读写控制方法，用以将所述MLC型闪存芯片仿真为SLC型闪存芯片，其特征在于，所述方法包括如下步骤 将MLC型闪存芯片的一个物理页映射至两个相同大小逻辑页，其中一个逻辑页由所述物理页中的最低有效位映射组成，另外一个逻辑页由所述物理页中的最高有效位映射组成； 对所述MLC型闪存芯片进行读写操作时，仅获取所述两个相同大小逻辑页的其中一个进行读写操作。2.根据权利要求1所述的读写控制方法，其特征在于，将MLC型闪存芯片的一个物理页映射至两个相同大小逻辑页的步骤中 所述MLC型闪存芯片的每个存储单元具有4种电压状态，4种电压状态表示为4个二进制数据11、10、00、01 ;所述最高有效位位于二进制数据的最左侧，最低有效位位于二进制数据的最右侧。3.根据权利要求1所述的读写控制方法，其特征在于，所述仅获取所述两个相同大小逻辑页的其中一个进行操作的步骤包括 对所述MLC型闪存芯片进行读写操作时，仅获取由所述物理页中的最高有效位映射组成的逻辑页进行读写操作。4.一种MLC NAND型固态硬盘，其特征在于，所述固态硬盘包括 MLC型闪存芯片，具有多个多层存储物理区块，每个所述多层存储物理区块具有多个物理页； 闪存控制器，与所述MLC型闪存芯片电性连接，用于将MLC型闪存芯片的一个物理页映射至两个相同大小逻辑页，其中一个逻辑页由所述物理页中的最低有效位映射组成，另外一个逻辑页由所述物理页中的最高有效位映射组成，对所述MLC型闪存芯片进行读写操...
【专利技术属性】
技术研发人员：金明，
申请(专利权)人：记忆科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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