电源恢复电压探测器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电源恢复电压探测器，涉及集成电路技术领域，包括：输入电路、电容耦合电压产生电路、脉冲产生电路、感应放大器及RS触发器。本实用新型专利技术的电源恢复电压探测器能够准确地探测内部电源的电压到达较高的电压值。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路
，特别涉及一种电源恢复电压探测器。
技术介绍
为降低电路的静态功耗，现今的集成电路中已大量采用了电源闸控技木。采用电源闸控能够降低内部电路静态功耗的原因为当闸控MOSFET被关闭时，受电源闸控管控的内部电路的电压将会低于外部电源电压，从而静态电流将会降低。然而，当电源闸控由关闭变为开启时，电路随即进入电源恢复状态，外部电源将对内部电路电源进行充电(PowerRecovery),以使得内部电路的电压恢复到能够使电路正常工作的水平。在这一充电过程中，外部电源将会消耗大量的电荷，若电荷的消耗速度过快就会有电源噪声产生，这个电源噪声将会对未受电源闸控管控的电路造成影响。为尽量减小外部电源对内部电源充电时产生的电源噪声，通常做法为将电源闸控MOSFET分为两个ー个尺寸较小驱动能力较弱的MOSFET做电源恢复之用；另ー个尺寸较大的驱动能力较强的MOSFET做电路工作时供电之用。其电路原理如图1所示，图2为电源恢复时的控制时序。图1中的MPO为尺寸较小驱动能力较弱的M0SFET，其栅端受信号“Power_Down”控制；MP1为尺寸较大驱动能力较强的M0SFET，其栅端本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电源恢复电压探测器，其特征在于，包括：输入电路、电容耦合电压产生电路、脉冲产生电路、感应放大器及RS触发器；所述输入电路用于将外部电源信号传输至所述电容耦合电压产生电路，所述电容耦合电压产生电路用于将所述外部电源信号转换成电容耦合电压信号，并将所述电容耦合电压信号分别传输至脉冲产生电路及所述感应放大器的第一输入端，所述脉冲产生电路用于根据所述电容耦合电压信号产生脉冲信号，并将所述脉冲信号传输至所述感应放大器的启动端，所述感应放大器的第二输入端连接内部电源，输出端Q和QB分别连接所述RS触发器的两个输入端，所述外部电源信号通过第一反相器连接所述RS触发器的一个输入端，所述RS触发器输出信号反...

【技术特征摘要】
1.一种电源恢复电压探测器，其特征在于，包括输入电路、电容耦合电压产生电路、脉冲产生电路、感应放大器及RS触发器；所述入电路用于将外部电源信号传输至所述电容耦合电压产生电路，所述电容耦合电压产生电路用于将所述外部电源信号转换成电容耦合电压信号，并将所述电容耦合电压信号分别传输至脉冲产生电路及所述感应放大器的第一输入端，所述脉冲产生电路用于根据所述电容耦合电压信号产生脉冲信号，并将所述脉冲信号传输至所述感应放大器的启动端，所述感应放大器的第二输入端连接内部电源，输出端Q和QB分别连接所述RS触发器的两个输入端，所述外部电源信号通过第一反相器连接所述RS触发器的一个输入端，所述RS触发器输出信号反馈连接至所述输入电路，并通过第二反相器输出。2.如权利要求1所述的电源恢复电压探测器，其特征在于，所述输入电路包括第三反相器和三输入的或非门，时钟信号通过所述第三反相器连接至所述三输入的或非门的第一输入端，所述三输入的或非门的第二输入端连接所述外部电源信号，第三输入端连接所述RS触发器的输出端，所述三输入的或非门的输出端连接所述电容耦合电压产生电路。3.如权利要求2所述的电源恢复电压探测器，其特征在于，所述电容耦合电压产生电路包括第四反相器、第一 NMOS管、第二 NMOS管和PMOS管，所述第一 NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极均连接所述PMOS管的漏极，且连接至所述感应放大器的第一输入端，所述PMOS管的栅极和第四反相器的输入端均连接所述三输入的或非门的输出端，所述PMOS管的源极连接外部电源，所述第四反相器的输出端与第一 NMOS管的源漏极连接，且与所述脉冲产生电路连接，第二 NMOS管的源漏极接地。4.如权利要求2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王林，郑坚斌，
申请(专利权)人：苏州兆芯半导体科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：