固态成像装置和其制造方法以及成像单元制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种固态成像装置和其制造方法以及成像单元。固态成像装置包括：感光单元，其通过执行入射光的光电转换而产生信号电荷；在感光单元附近的导电材料；第一遮光膜，其形成以覆盖导电材料的至少一部分；以及第二遮光膜，其形成在第一遮光膜的表面的一部分或者全部上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及固态成像装置和其制造方法以及成像单元，更具体地，涉及其中像素的开口能进一步加宽的固态成像装置和其制造方法以及成像单元。
技术介绍
近年来，正在进行诸如电荷耦合器件(CXD)的成像装置的小型化。与此同时，成像装置的诸如污点(smear)噪音或者感光性的集光特性已经变成高度依赖于由每个像素附近的遮光膜的形状等确定的像素开口尺寸。因而，通过设定配线结构以将用来转移蓄积在每个像素中的电荷的遮光膜和转移电极通用化，已经提出了用于加宽每个像素的开口尺寸的技术(例如，参照日本未审查专利申请公报 No.2009-252840)。在此技术中，为了覆盖设置在成像装置的衬底上的转移电极，沉积绝缘膜，形成在转移电极的上表面部分上的绝缘膜被移除，并且触点形成在转移电极上。此外，为了覆盖触点和绝缘膜，沉积遮光膜，遮光膜还用作向转移电极施加电压的信号线，并遮蔽朝着衬底的内部入射的不需要的光。即，由于遮光膜和转移电极通过触点连接到彼此，电压可以施加到转移电极。
技术实现思路
然而，在以上所述的技术中，已经不能使成像装置的每个像素的开口足够地宽。例如，在使转移电极和遮光膜的通用化的技术中，由于对转移电极设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固态成像装置，包括：感光单元，其通过执行入射光的光电转换而产生信号电荷；在所述感光单元附近的导电材料；第一遮光膜，其形成以覆盖所述导电材料的至少一部分；以及第二遮光膜，其形成在所述第一遮光膜的表面的一部分或者全部上。

【技术特征摘要】
2011.10.07 JP 2011-2227431.一种固态成像装置，包括 感光单元，其通过执行入射光的光电转换而产生信号电荷； 在所述感光单元附近的导电材料； 第一遮光膜，其形成以覆盖所述导电材料的至少一部分；以及 第二遮光膜，其形成在所述第一遮光膜的表面的一部分或者全部上。2.根据权利要求1所述的固态成像装置， 其中，所述第一遮光膜和所述第二遮光膜由具有导电性的构件形成，以及当驱动所述固态成像装置时，电压经由所述第一遮光膜和所述第二遮光膜而施加到所述导电材料。3.根据权利要求2所述的固态成像装置， 其中，所述导电材料是转移电极，当读出蓄积在所述感光单元中的所述信号电荷时，所述电压施加到所述转移电极。4.根据权利要求3所述的固态成像装置， 其中，所述第二遮光膜形成为使得所述第二遮光膜在所述导电材料和所述导电材料附近的所述感光单元之间排列方...

【专利技术属性】
技术研发人员：北野良昭，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：