包括相位差检测像素的成像装置制造方法及图纸

技术编号:8565517 阅读:156 留言:0更新日期:2013-04-11 07:56
一种包括相位差检测像素的成像装置,更具体地讲,所述成像装置包括:多个像素,被二维地布置以捕获图像并检测相位差;第一光电转换像素行;以及第二光电转换像素行,其中,第一光电转换像素行和第二光电转换像素行均被布置为使得在用于相位差检测的每个像素中形成的电路相对于光电转换像素的开口彼此相对地布置。在所述成像装置中,可对整个拍摄的屏幕区域来执行相位差检测。另外,包括相位差检测像素的成像装置可不具有缺陷像素,因此,获得了改善的图像质量。可在低亮度下执行对象的拍摄和AF。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种包括相位差检测像素的成像装置,更具体地讲,涉及一种包括被布置为用于检测相位差并捕获图像的相位差检测像素的成像装置。
技术介绍
一些图像捕获装置使用相位差检测像素来执行自动聚焦(AF)。通过在成像像素之间添加相位差检测像素进行相位差检测。从相位差检测像素输出的信号被用于检测由不同相位差检测像素产生的信号之间的相位差。检测的相位差可被用于执行AF。因为相位差检测像素的输出可能与正常的图像捕获像素的输出不同,所以相位差检测像素通常仅被用于检测相位差,而不用于捕获图像。与由不使用相位差检测像素的图像捕获装置捕获的图像相比,这会降低捕获的图像的质量。另外,用于相位差检测像素的开口较小,使得难以在低亮度下执行AF。
技术实现思路
因此,本领域中需要一种接收由光学系统形成的图像并包括被二维布置为用于执行捕获和检测相位差的多个像素的成像装置,所述成像装置包括第一光电转换像素行; 以及第二光电转换像素行,其中,第一光电转换像素行和第二光电转换像素行均被布置为使得针对用于相位差检测的多个像素中的每个像素而形成的电路相对于光电转换像素的开口彼此相对地布置。所述成像装置的所有像素可输出用于获取相位差的信号。第一光电转换像素行第二光电转换像素行均可包括形成在多个光电转换像素的每一个中的晶体管电路,其中,所述多个光电转换像素共享晶体管电路中的放大电路或复位电路。针对用于相位差检测的多个像素中的每个像素而形成的电路可包括从由传输电路、复位电路、放大电路和配线电路构成的组中选择的至少一个。第一光电转换像素行和第二光电转换像素行可均被布置为使得微透镜形成在多个光电转换像素的每一个上,并且开口形成在微透镜和光电转换单元之间,其中,开口相对于微透镜的光轴被偏心地形成,其中,第一光电转换像素行和第二光电转换像素行处于彼此相反的方向上。第一光电转换像素行和第二光电转换像素行可均被布置为使得掩模形成在除了多个光电转换像素被形成的区域之外的区域中。构成第一光电转换像素行和第二光电转换像素行中的每一个的像素可由滤色器形成,其中,所述像素以Bayer模式被配置以形成Bayer模式像素单元,其中,Bayer模式像素单元构成第一光电转换像素行和第二光电转换像素行中的每一个。根据本专利技术的另一方面,提供一种接收由光学系统形成的图像并包括被二维布置为用于执行捕获和检测相位差的多个像素的成像装置,所述成像装置包括第一光电转换像素行;以及第二光电转换像素行,其中,第一光电转换像素行和第二光电转换像素行均被布置为使得以Bayer模式布置的每四个像素形成的电路处于相位差检测方向上。第一光电转换像素行和第二光电转换像素行可均被布置为使得掩模形成在除了多个光电转换像素被形成的区域之外的区域中。根据本专利技术的另一方面,提供一种接收由光学系统形成的图像并包括被二维布置为用于执行捕获和检测相位差的多个像素的成像装置,所述成像装置包括第一光电转换像素行;以及第二光电转换像素行,其中,第一光电转换像素行和第二光电转换像素行均被布置为使得在用于相位差检测的每个像素中形成的电路相对于光电转换像素的开口彼此相对地布置,并且以Bayer模式布置的每四个像素形成的电路处于相位差检测方向上。第一光电转换像素行和第二光电转换像素行可均被布置为使得掩模形成在除了多个光电转换像素被形成的区域之外的区域中。根据本专利技术的另一方面,提供一种接收由光学系统形成的图像并包括被二维布置为用于执行捕获和检测相位差的多个像素的成像装置,所述成像装置包括第一光电转换像素行;以及第二光电转换像素行,其中,第一光电转换像素行和第二光电转换像素行均被布置为使得在用于相位差检测的每个像素中形成的电路相对于光电转换像素的开口彼此相对地布置,并且多个光电转换像素共享在所述多个光电转换像素的每一个中形成的晶体管电路的放大电路或复位电路。第一光电转换像素行和第二光电转换像素行可均被布置为使得掩模形成在除了所述多个光电转换像素被形成的区域之外的区域中。根据本专利技术的另一方面,提供一种接收由光学系统形成的图像并包括被二维布置为用于执行捕获和检测相位差的多个像素的成像装置,所述成像装置包括第一光电转换像素行;以及第二光电转换像素行,其中,第一光电转换像素行和第二光电转换像素行均被 布置为使得在用于相位差检测的每个像素中形成的电路相对于用于相位差检测的像素的开口彼此相对地布置,并且在不执行相位差检测的每个像素中形成的电路相对于所述像素的开口沿相同的方向布置。第一光电转换像素行和第二光电转换像素行可均被布置为使得微透镜形成在所述多个像素的每一个上,并且开口形成在微透镜和光电转换单元之间,其中,开口相对于微透镜的光轴被偏心地形成,其中,第一光电转换像素行和第二光电转换像素行沿彼此相反的方向。附图说明通过参照附图详细地描述本专利技术的示例性实施例,本专利技术的以上和其他特点和优点将变得更加清楚,其中图1是示出根据本专利技术实施例的包括成像装置的数字图像处理装置的示例的结构的框图2是根据本专利技术实 施例的用于解释通过使用图1的成像装置而进行的相位差像素的AF原理的示图3A和图3B是根据本专利技术实施例的用于解释根据图2的光接收像素的相位差的曲线图4是示出构成普通成像装置的像素的结构的示图5是示出根据本专利技术实施例的其中掩模被安装在开口中的相位差成像装置的像素的结构的示图6A和图6B是示出根据本专利技术实施例的图5的成像装置的像素的位置和成像透镜之间的关系的示图;图位差像素;图像素的示例图置的示例;图图7示出了成像装置的普通Bayer模式像素结构;8是示出基于图7的Bayer模式像素结构的用于相位差检测的像素的布置的示 9A和图9B示出了根据本专利技术实施例的沿水平方向配置的成像装置的示例的相 IOA和图1OB示出了根据本专利技术实施例的沿垂直方向配置的成像装置的相位差 IIA和图1lB示出了根据本专利技术实施例的图9A和图9B的相位差像素的垂直配12是示出根据本专利技术实施例的成像装置的基本像素结构的电路图的示例;13是具体示出根据本专利技术实施例的在硅基底上布置的图12中示出的像素的光电转换部分的电路图的示例;图14是示出包括普通晶体管的一个示例的成像装置的像素的结构的示例的电路图15是 示出包括普通晶体管的另一示例的成像装置的像素的结构的示例的电路例;的示例。图16是普通成像装置的示例的电路平面图;图17是根据本专利技术实施例的成像装置的示例的电路平面图;图18是根据本专利技术另一实施例的成像装置的示例的电路平面19是根据本专利技术另一实施例的成像装置的示例的电路平面20是根据本专利技术另一实施例的成像装置的示例的电路平面21示出了根据本专利技术实施例的配置了多个不同相位差像素的成像装置的示图22示出了根据本专利技术实施例的配置了普通成像像素和相位差像素的成像装置具体实施方式由于本专利技术允许各种改变和许多实施例,因此将在附图中示出特定实施例,并且在书面描述中详细地描述特定实施例。然而,这并非意在将本专利技术限制到实践的具体模式, 而应被理解为不脱离本专利技术的精神和技术范围的所有改变、等同物和替代包含在本专利技术中。在对本专利技术的描述中,当认为现有技术的特定详细的解释可能不必要地模糊本专利技术的本质时,省略现有技术的特定详细的解释。当诸如“第一”、“第二”等术语可能被用于描述各种组件时,这种组件不必限于以上本文档来自技高网...
包括相位差检测像素的成像装置

【技术保护点】
一种成像装置,所述成像装置包括:多个像素,被二维布置以捕获图像并检测相位差;第一光电转换像素行;以及第二光电转换像素行,其中,第一光电转换像素行和第二光电转换像素行均被布置为使得针对用于相位差检测的多个像素中的每个像素而形成的电路相对于光电转换像素的开口彼此相对地布置。

【技术特征摘要】
2011.10.07 KR 10-2011-01026581.一种成像装置,所述成像装置包括 多个像素,被二维布置以捕获图像并检测相位差; 第一光电转换像素行;以及 第二光电转换像素行, 其中,第一光电转换像素行和第二光电转换像素行均被布置为使得针对用于相位差检测的多个像素中的每个像素而形成的电路相对于光电转换像素的开口彼此相对地布置。2.如权利要求1所述的成像装置,其中,成像装置的所有像素输出用于获取相位差的信号。3.如权利要求1所述的成像装置,其中,第一光电转换像素行第二光电转换像素行均包括形成在多个光电转换像素的每一个中的晶体管电路,其中,所述多个光电转换像素共享晶体管电路中的放大电路或复位电路。4.如权利要求1所述的成像装置,其中,针对用于相位差检测的多个像素中的每个像素而形成的电路包括从由传输电路、复位电路、放大电路和配线电路构成的组中选择的至少一个。5.如权利要求1所述的成像装置,其中,第一光电转换像素行和第二光电转换像素行均被布置为使得微透镜形成在多个光电转换像素的每一个上,并且开口形成在微透镜和光电转换单元之间,其中,开口相对于微透镜的光轴被偏心地形成,其中,第一光电转换像素行和第二光电转换像素行处于彼此相反的方向上。6.如权利要求1所述的成像装置,其中,第一光电转换像素行和第二光电转换像素行均被布置为使得掩模形成在除了多个光电转换像素被形成的区域之外的区域中。7.如权利要求1所述的成像装置,其中,构成第一光电转换像素行和第二光电转换像素行中的每一个的像素由滤色器形成,其中,所述像素以Bayer模式被配置以形成Bayer模式像素单元,其中,Bayer模式像素单元构成第一光电转换像素行和第二光电转换像素行中的每一个。8.一种成像装置,所述成像装置包括 多个像素,被二维布置以捕获图像并检测相位差; 第一光电转换像素行;以及 第二光电转换像素行, 其中,第一光电转换像素行和第二光电转换像素行均被布置为使得以Bayer模式布置的每四个像素形成的电路处于相位差检测方向上。9.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:浜田正隆
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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