集成电路产业含氟废水处理方法技术

本发明专利技术涉及一种集成电路产业含氟废水处理方法，采用三级反应一级沉淀的工艺，包括含氟废水收集池、一级反应槽、二级反应槽、三级反应槽、沉淀槽、排放水槽、污泥槽和污泥脱水机。含氟废水通过含氟废水收集池的进水口进入含氟废水收集池，含氟废水收集池管道连接至一级反应槽，在一级反应槽中加入氢氧化钙和氯化钙，一级反应槽管道连接至二级反应槽，在二级反应槽中加入PAC，二级反应槽管道连接至三级反应槽，在三级反应槽中加入PAM，三级反应槽管道连接至沉淀槽，沉淀槽一根管道连接至排放水槽，一根管道连接至污泥槽，污泥槽管道连接至污泥脱水机。本发明专利技术具有结构简单、方便实用的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于氟化工
，具体涉及一种。
技术介绍
氟是一种微量元素，长期服用氟含量大于1. 5mg/L的含氟水会给人带来许多不利影响，严重的会引起氟斑牙和氟骨病，然而氟化物又是重要的化工原料，广泛地应用于钢铁、有色金属冶金、化工、电子等诸多行业中，因而产生了大量含氟废水，对环境和人们的身体健康产生了威胁，我国1996年颁布的《污水综合排放标准》(GB8789-1996)中规定企业对外排放含氟废水，氟化物浓度不得超过10mg/L。芯片刻蚀过程 中排放二股含氟废水高浓度含氟废水和低浓度含氟废水，其中高浓度含氟废水为刻蚀初期排放的废水，氟离子浓度可高达10000mg/L ;低浓度含氟废水为后续冲洗废水，氟离子浓度约为500mg/L。国内外含氟废水的处理方法主要有沉淀法和吸附法两大类。对于高浓度含氟废水一般可采用钙盐沉淀法，而在实际工程运行中，要确保氟离子浓度(F_< 10mg/L)稳定达标，往往比较困难。
技术实现思路
为了克服上述所说的不足，本专利技术提供一种，用以解决现有确保氟离子浓度(F_< 10mg/L)稳定达标往往比较困难的问题。为达到上述目的，本专利技术，采用三本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路产业含氟废水处理方法，采用三级反应一级沉淀的工艺，包括含氟废水收集池、一级反应槽、二级反应槽、三级反应槽、沉淀槽、排放水槽、污泥槽和污泥脱水机，其特征是：含氟废水通过含氟废水收集池的进水口进入含氟废水收集池，含氟废水收集池管道连接至一级反应槽，在一级反应槽中加入氢氧化钙和氯化钙，一级反应槽管道连接至二级反应槽，在二级反应槽中加入PAC，二级反应槽管道连接至三级反应槽，在三级反应槽中加入PAM，三级反应槽管道连接至沉淀槽，沉淀槽一根管道连接至排放水槽，一根管道连接至污泥槽，污泥槽管道连接至污泥脱水机。

【技术特征摘要】
1.一种集成电路产业含氟废水处理方法，采用三级反应一级沉淀的工艺，包括含氟废水收集池、一级反应槽、二级反应槽、三级反应槽、沉淀槽、排放水槽、污泥槽和污泥脱水机，其特征是含氟废水通过含氟废水收集池的进水口进入含氟废水收集池，含氟废水收集池管道连接至一级反应槽，在一级反应槽中加入氢氧化钙和氯化钙，一级反应槽管道连接至二级反应槽，在二级反应槽中加入PAC，二级反应槽管道连接至三级反应槽，在三级反应槽中加入PAM，三级反应槽管道连接至沉淀槽，沉淀槽一根管道连接至排放水槽，一根管道连接至污泥槽，污泥槽管道连接至污泥脱水机。2.根据权利要求1所述的集成电路产业含氟废水处理方法，其特征是含氟废水收集池采用钢混凝土结构，内净尺寸为4300mmX 2200mmX 3700mm，有效水深2. 20米，有效容积20. 8m3，水力停留时间4. 2h，池内设穿孔管进行空气搅拌，池壁内衬玻璃钢防腐，I座。废水池内设置2台CFY65-50-160型液下泵，I用I备。3.根据权利要求1所述的集成电路产业含氟废水处理方法，其特征是:化学反应系统共设三级反应槽，每...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建雄，方程冉，陶松垒，乔静兵，郑彬理，石伟峰，
申请(专利权)人：浙江科技学院，
类型：发明
国别省市：