【技术实现步骤摘要】
201610171852
【技术保护点】
一种高浓度含氟废水多级处理原位制备高纯CaF2的方法,其特征是,包括优化SO42‑浓度、同步去除有机物以及重金属离子、钙源原位缓释及与F‑离子快速生成高纯度CaF2沉淀。
【技术特征摘要】
1.一种高浓度含氟废水多级处理原位制备高纯CaF2的方法,其特征是,包括优化SO42-浓度、同步去除有机物以及重金属离子、钙源原位缓释及与F-离子快速生成高纯度CaF2沉淀。2.根据权利要求1所述的高浓度含氟废水多级处理原位制备高纯CaF2的方法,其特征是,所述的高浓度含氟废水来自于集成电路芯片生产过程中刻蚀工序及清洗工序产生的含氟废水,其中,F-为1000-3000mg/L,SO42-浓度为300-500mg/L,TOC为15-40mg/L,以及微量金属离子为5-30mg/L,该微量金属离子包括Cu2+、Ni+和Al3+。3.根据权利要求1所述的高浓度含氟废水多级处理原位制备高纯CaF2的方法,其特征是,所述的优化SO42-浓度是指,通过投加钡盐实现,所述钡盐的投加量为理论摩尔投加量的0.7-0.8倍,处理后SO42-浓度控制在60-150mg/L。4.根据权利要求1所述的高浓度含氟废水多级处理原位制备高纯CaF2的方法,其特征是,所述的同步去除有机物以及重金属离子是指...
【专利技术属性】
技术研发人员:楼紫阳,尹常凯,朱南文,袁海平,于豹,徐怡婷,
申请(专利权)人:上海交通大学,
类型:发明
国别省市:上海;31
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