【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种芯片与载体的对位焊接方法。
技术介绍
随着功率密度的提高、功率模块使用频率的提高以及星载平台的轻、小、真空、低温、高可靠性的要求，对功率多芯片的组装提出了如下的原则欧姆接触、低热阻的通路、有足够的焊接强度和高低温冲击的温度应力下的组装可靠性。除了芯片载体与芯片的膨胀系数相匹配、焊接材料对可靠性影响很重要外，芯片与载体之间的焊接工艺的优劣是能否满足上述三原则至关重要的因素芯片与载体之间的焊接效果不好，产生了空洞，不仅模块的热阻会增大，一方面导致发生击穿和烧毁等失效，另一方面导致芯片上热量分布不均匀，在功率老化或使用中引起芯片开裂；焊接强度也会下降，再加上芯片面积较大，焊料分布不均匀，在离心、振动和冲击试验中也会造成芯片脱落或开裂，模块可靠性必然降低。芯片与载体之间相对位置偏移对多芯片组件的电路性能(如产生自激等)也有影响。芯片钎焊方法主要有软钎焊法和共晶钎焊法(薄膜-焊接法)两种，钎焊方法的选择需要根据芯片的材料、表面金属化的膜层结构以及可靠性等综合考虑而确定。(1)软钎焊法，此法是用钎料进行钎焊。为了防止氧化，一般采用包金钎料球或钎料(焊片)...
【技术保护点】
气体保护下的芯片与载体的自对位软钎焊方法，对载体的焊接面进行镀金或银改性处理，将焊片放置在芯片和电镀过的载体之间进行钎焊，其特征在于：Ａ、根据芯片尺寸大小，制作载体，载体的尺寸较芯片每边大０－０．０５毫米；Ｂ、在充满保护性气 体的手套操作箱或密闭操作柜中设有一个以上平板式温控加热台，温控精度±５℃，和一个平板式工作台，上限温度可达４５０℃，将载体、芯片、焊片和操作工具分别置于手套操作箱或密闭操作柜中；Ｃ、在充满保护性气体的手套操作箱或密闭操作柜中、在改性 处理后的载体上预置洁净焊片，在气体保护下、在高于焊片熔点温度２０－５０℃下加...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：解启林，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第三十八研究所，
类型：发明
国别省市：34[中国|安徽]
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