本实用新型专利技术提供一种电子开关，包括P沟道场效应管Q1、电池、电阻R1、N沟道场效应管Q2、二极管D2、二极管D3、开关S1，所述P沟道场效应管Q1源极接电池正极VCC，P沟道场效应管Q1漏极作为输出为CPU等主电路供电，电阻R1跨接在P沟道场效应管Q1的源极和栅极之间，P沟道场效应管Q1的栅极同时连接在N沟道场效应管Q2的漏极及二极管D2的正极，N沟道场效应管Q2的栅极连接到CPU的控制一个端口，N沟道场效应管Q2的源极接地，二极管D2的负极和二极管D3的负极相连，同时二极管D2的负极连接按钮开关S1的一端，开关S1的另一端接地，二极管D3的正极通过电阻R2与P沟道场效应管Q1的漏极相连，二极管D3的正极同时和CPU的另一个控制端口相连，该电子开关电路只需少量几个常用的分立器件即可，电路简单，关断彻底，成本低廉。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种电子开关电路，属于自动控制领域。
技术介绍
传统的电子开关一般采用逻辑芯片搭建，或采用控制电源调压芯片的使能端作为电源开关。传统的典型电子开关如图1所示其工作原理是S1按下后，Tl导通，ICl的EN端为高电平，ICl导通，vout有输出为⑶主电路供电，CPU工作后，将Pl.1置为低电平，SI松开后，Tl仍然导通，此时，SI即可由CPU的Pl. 2输入，作为普通按键使用，并可由CPU判断SI的状态，根据需要将Pl.1置为高电平，实现电源关断功能。以上电路的缺点是1、电路较复杂，采用了 ICl带使能端口的调压芯片作为开关控制芯片，成本较高。2、在ICl关断后，ICl 一般在待机模式下工作，在电池供电的手持式设备中，这种待机模式耗电也不容忽略，将缩短电池待机时间，这种电路电池关断效果不是很理想。3、此电路在ICl关断后，并未将R1、R4电路关断，而Pl.1和Pl. 2直接接在CPU端口，存在一定漏电流，更严重的是，在Pl.1和Pl. 2先有电，而CPUl后上电的瞬间，容易出现“闩锁效应”，导致Pl.1和Pl. 2端口甚至CPU芯片损坏，存在设计缺陷。
技术实现思路
针对上述现有技术中的不足之处，本技术的目的是提供一种电路简单、成本低廉、电池待机时间较长同时还能避免“闩锁效应”出现的电子开关。为了实现上述目的，本技术提供以下技术方案一种电子开关，包括P沟道场效应管Ql、电池、电阻R1、N沟道场效应管Q2、二极管D2、二极管D3、开关SI，所述P沟道场效应管Ql源极接电池正极VCC，P沟道场效应管Ql漏极作为输出为CPU等主电路供电，电阻Rl跨接在P沟道场效应管Ql的源极和栅极之间，P沟道场效应管Ql的栅极同时连接在N沟道场效应管Q2的漏极及二极管D2的正极，N沟道场效应管Q2的栅极连接到CPU的控制一个端口，N沟道场效应管Q2的源极接地，二极管D2的负极和二极管D3的负极相连，同时二极管D2的负极连接按钮开关SI的一端，开关SI的另一端接地，二极管D3的正极通过电阻R2与P沟道场效应管Ql的漏极相连，二极管D3的正极同时和CPU的另一个控制端口相连。通过以上方案可以看出，本新型电子开关电路将简化传统电路，降低电路成本,使开关关断更彻底，将延长电池待机时间，同时也不会出现部分电路没关断电源，而导致“闩锁效应”出现的情况。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为传统电子开关电路图；图2为本技术的电路图。具体实施方式下面结合具体实施例及附图来进一步详细说明本技术。如图2所示，作为本技术的一种实施例，该电子开关包括P沟道场效应管Q1、电池、电阻R1、N沟道场效应管Q2、二极管D2、二极管D3、开关SI，所述P沟道场效应管Ql源极接电池正极VCC，P沟道场效应管Ql漏极作为输出为CPU等主电路供电，电阻Rl跨接在P沟道场效应管Ql的源极和栅极之间，P沟道场效应管Ql的栅极同时连接在N沟道场效应管Q2的漏极及二极管D2的正极，N沟道场效应管Q2的栅极连接到CPU的控制一个端口，N沟道场效应管Q2的源极接地，二极管D2的负极和二极管D3的负极相连，同时二极管D2的负极连接按钮开关SI的一端，开关SI的另一端接地，二极管D3的正极通过电阻R2与P沟道场效应管Ql的漏极相连，二极管D3的正极同时和CPU的另一个控制端口相连，该电子开关电路只需少量几个常用的分立器件即可，电路简单，成本低廉。该电路工作时S1按下后，Ql导通，CPUl主电路获电工作，CPUl将Pl.1置为高电平，Q2导通，SI松开后，Ql仍然导通，此时，SI即可由CPU的Pl. 2输入，作为普通按键使用，并可由CPU判断SI的状态，根据需要将Pl.1置为低电平，实现电源关断功能。关断后，所有元器件均不再需要耗电，所选MOSFET管漏电流极小，因此电池待机时间将延长，而该电子开关电路与CPU主电路相连的Pl.1及Pl. 2随着电子开关的关断，将彻底关断，将不会出现传统开关电路的“闩锁效应”缺陷，电路工作更加可靠。以上对本技术实施例所提供的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术实施例的原理以及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只适用于帮助理解本技术实施例的原理；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本技术实施例，在具体实施方式以及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电子开关，包括P沟道场效应管Q1、电池、电阻R1、N沟道场效应管Q2、二极管D2、二极管D3、开关S1，其特征在于：所述P沟道场效应管Q1源极接电池正极VCC，P沟道场效应管Q1漏极作为输出为CPU等主电路供电，电阻R1跨接在P沟道场效应管Q1的源极和栅极之间，P沟道场效应管Q1的栅极同时连接在N沟道场效应管Q2的漏极及二极管D2的正极，N沟道场效应管Q2的栅极连接到CPU的控制一个端口，N沟道场效应管Q2的源极接地，二极管D2的负极和二极管D3的负极相连，同时二极管D2的负极连接按钮开关S1的一端，开关S1的另一端接地，二极管D3的正极通过电阻R2与P沟道场效应管Q1的漏极相连，二极管D3的正极同时和CPU的另一个控制端口相连。
【技术特征摘要】
1.一种电子开关，包括P沟道场效应管Q1、电池、电阻R1、N沟道场效应管Q2、二极管D2、二极管D3、开关SI，其特征在于所述P沟道场效应管Ql源极接电池正极VCC，P沟道场效应管Ql漏极作为输出为CPU等主电路供电，电阻Rl跨接在P沟道场效应管Ql的源极和栅极之间，P沟道场效应管Ql的栅极同时连接在N沟道场效应管Q2的...
【专利技术属性】
技术研发人员：向武，
申请(专利权)人：向武，
类型：实用新型
国别省市：
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