耳机连接感测和零上电按钮制造技术

常开按钮开关被耦合到一对MOSFET且与之协作以便为个人音频设备提供上电开关功能，其不要求在等待按钮开关操作以促使个人音频设备被上电的同时从电源吸取功率以监视按钮开关。个人音频设备的控制器在多个场合下针对信号活动实例的结束监视一个导体，通过该导体，该个人音频设备能够被耦合到另一设备，并且在信号活动结束之后，向导体中注入电流且测量结果得到的电压以计算自适应阈值电压，并将所测量电压与自适应阈值相比较以至少确定个人音频设备的导体是否被耦合到另一设备。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】耳机连接感测和零上电按钮
本公开涉及监视耳机与对讲机系统或无线电之间的连接、对对讲机或无线电与其 连接的状态的可能响应以及节省耳机电源。
技术介绍
双向通信耳机常常在许多类型的车辆中使用，并且在各种大型机器的情况下，尤 其是车辆和在操作期间产生高噪声环境的机器，使得在没有此类耳机的情况下与驾驶员、 操作员或飞行员的必要双向通信将被削弱。此类噪声环境的示例包括飞机场、商用卡车和 拖拉机中的驾驶室、起重机和隧道挖掘机中的操作员舱以及坦克或其他军用车辆中的工作 人员舱。此类车辆或机器结合提供了此类耳机被耦合到的一个或多个连接点的对讲机系统 是很普通的。此类对讲机通常与此类耳机中的多个协助以使得此类车辆中或就在其附近的 人员能够相互通信，并且此类对讲机通常结合了使得人员能够使用此类耳机与一定距离处 的其他人员进行通信的远程无线收发机。除了能够被耦合到车辆或大型机器的对讲机系统之外，最近已经变得越来越期望 进一步使得此类耳机能够被耦合到人员可以将其携带的便携式音频设备。因此，期望使得 能够以提供此类组合的高度使用容易性并避免由于耳机的操作状态在被耦合到对讲机系 统与从对讲机系统解耦的变化而引起的电学不兼容问题的方式来实现耳机到对讲机系统 和个人音频设备两者的同时耦合。还已越来越难以适应在由此类对讲机系统和/或远程无线收发机(即无线电)提 供的耳机连接中遇到的电特性的变化。尽管在其中使用对讲机或无线电的某些领域中存在 某些行业和政府标准，但由新特征的添加引起的增加的复杂性和最终用户进行的修改的增 加的接受已经引起预期特性和行为方面的一定程度的模糊。因此，确定是否已经实现了到 对讲机或无线电的连接以及确定对讲机或无线电在任何给定时间是否活动已经变得更加 困难。此外，持续存在着在耳机中以及在其他形式的个人音频设备中提供操作员方便性 和功率节省两者的期望。与更加传统的纽扣式电源开关相比，仍旧更加追求按钮电源开关。 然而，在提供同样不要求使用连续地耗尽个人音频设备(例如，耳机)的电源(例如电池) 的电子部件的组合的按钮电源开关时遇到了困难。
技术实现思路
常开按钮开关被耦合到一对MOSFET且与之协作以便为个人音频设备提供上电开 关功能，其不要求在等待按钮开关操作以促使个人音频设备被上电的同时从电源吸取功率 以监视按钮开关。个人音频设备的控制器在多个场合下针对信号活动实例的结束监视一个 导体，通过该导体，该个人音频设备能够被耦合到另一设备，并且在信号活动结束之后，向 导体中注入电流且测量结果得到的电压以计算自适应阈值电压，并将所测量电压与自适应 阈值相比较以至少确定个人音频设备的导体是否被耦合到另一设备。在一方面，一种设备包括常开手动可操作开关；第一 M0SFET，其具有被耦合到 开关的第一栅极以及被耦合到电源的高电位端子以从那里接收电功率的第一源极；第二 M0SFET，其具有被耦合到电源的低电位端子的第二源极；第二漏极，其被耦合到开关和第 一 MOFSET的第一栅极、以及第二栅极以通过至少第一 MOSFET的第一源极和第一漏极从 电源接收电功率；并且其中，闭合开关将第一栅极耦合到电源的低电位电压端子，将第一 MOSFET置于导通状态，通过第一MOSFET向第二栅极提供高电位，将第二MOSFET置于导通状 态，向第一栅极提供低电位以将第一和第二 MOSFET锁存在导通状态。在另一方面，一种方法包括等待由常开开关所触发的第一 MOSFET和第二 MOSFET 的锁存相互作用而引起的从电源进行的电功率的提供；以及响应于开关被闭合而中断第一 和第二 MOSFET的锁存相互作用。在一方面，一种设备包括用以使得设备能够被耦合到双向通信设备的导体；被耦 合到导体以测量存在于导体上的相对于接地导体的电压的电压传感器；以及被耦合到导体 的控制器。控制器被构造成针对在导体上发生的信号活动的第一实例的第一结束而监视导 体；响应于该第一结束，向导体中注入电流并在电流被注入到导体中的同时操作电压传感 器以获得在导体上电压的第一度量；根据至少第一度量来计算自适应阈值电压；针对在导 体上发生的信号活动的第二实例的第二结束而监视导体；响应于第二结束，向导体中注入 电流并在电流被注入到导体中的同时操作电压传感器以获得在导体上电压的第二度量；将 第二度量与自适应阈值相比较；以及响应于第二度量大于自适应阈值，关掉设备的部件。在另一方面，一种方法包括针对在导体上发生的信号活动的第一实例的第一结束 而监视个人音频设备的导体，其被构造成使得个人音频设备能够被耦合到双向通信设备； 响应于该第一结束，向导体中注入电流并在电流被注入到导体中的同时获得导体上电压的 第一度量；根据至少第一度量来计算自适应阈值电压；针对在导体上发生的信号活动的第 二实例的第二结束而监视导体；响应于第二结束，向导体中注入电流并在电流被注入到导 体中的同时获得在导体上电压的第二度量；将第二度量与自适应阈值相比较；以及响应于 第二度量大于自适应阈值，确定个人音频设备未被耦合到在活动状态下双向通信设备，并 且关掉个人音频设备的部件。根据随后的描述和权利要求，本专利技术的其他特征和优点将是显而易见的。附图说明图1是耳机的透视图。图2是可在图1的耳机中采用的电架构的方框图。图3是图2的电架构的控制电路的方框图。图4是可在图1的耳机中采用的另一电架构的方框图。图5是图4的电架构的控制电路的方框图。图6a至6c是针对到活动或不活动对讲机系统的可能稱合而测试图1的耳机的导 体的各方面的方框图。图7是由图3或图5的控制电路进行的通过电流注入来测试导体的实施例的执行 以及测试的本实施例的结果的使用的图表。图8是由图3或图5的控制电路进行的通过电流注入来测试导体的多次执行的实施例以及测试的本实施例的结果的多次使用的图表。图9a和9b是由图3或图5的控制电路进行的通过电流注入来测试导体的多次执 行的另一实施例以及测试的本实施例的结果的多次使用的图表和流程图。图10、11和12每个是可以添加到图3或图5中的任一个的电架构以添加按钮上电 开关和在图1的耳机处于关闭状态的同时不吸取功率的支持部件的电架构部分的方框图。具体实施方式在本文中所公开和要求保护的内容意图适用于多种耳机，即被构造成以其中至少 一个声学驱动器位于耳朵附近且其中麦克风位于用户的嘴附近以使得能够实现双向音频 通信的方式戴在用户的头上或周围的设备。应注意的是虽然结合了一对声学驱动器(用户 的每个耳朵一个)的耳机的特定实施例是以一定的详细程度呈现的，但特定实施例的此类 呈现意图通过示例来促进理解，并且不应将其理解为限制公开的范围或权利要求覆盖的范 围。意图在于在本文中公开和要求保护的内容适用于还提供主动降噪(ANR)、被动降 噪(PNR)或两者的组合的耳机。意图在于在本文中公开和要求保护的内容适用于被构造成 通过有线连接与至少对讲机系统相连的耳机，但耳机可以被进一步构造成通过有线和/或 无线连接被连接至任何数目的附加设备。意图在于在本文中公开和要求保护的内容适用于 具有构造成戴在用户的一只或两只耳朵附近的物理配置的耳机，包括且不限于具有一个或 多个听筒的头上耳机、颈后耳机、结合了至少一个听筒和戴在颈上或周围的物理上分离麦 克风的两件式耳机以及结合了听筒本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.18 US 12/838,479;2010.07.18 US 12/838,4771.一种设备，包括常开手动可操作开关；第一 M0SFET，其具有被耦合到所述开关的第一栅极以及被耦合到电源的高电位端子以从其接收电功率的第一源极；第二 M0SFET，其具有被耦合到所述电源的低电位端子的第二源极；被耦合到所述开关和所述第一 MOSFET的第一栅极的第二漏极、以及用以至少通过所述第一 MOSFET的第一源极和第一漏极从所述电源接收电功率的第二栅极；以及其中，将所述开关闭合将所述第一栅极耦合到所述电源的低电位电压端子，将所述第一 MOSFET置于导通状态，通过所述第一 MOSFET向所述第二栅极提供高电位，将所述第二 MOSFET置于导通状态，向所述第一栅极提供低电位以将所述第一 MOSFET和第二 MOSFET锁存在导通状态。2.根据权利要求1的设备，还包括由于所述第一MOSFET和第二 MOSFET被锁存在导通状态且使关输出端被耦合到所述第二栅极而被提供功率的控制器，其中所述第一漏极通过电阻器被耦合到所述第二栅极；所述控制器被构造成将低电位驱动至所述第二栅极以将所述第二 MOSFET置于非导通状态，以促使所述第一 MOSFET和第二 MOSFET停止被锁存在导通状态。3.根据权利要求1的设备，还包括由于所述第一MOSFET和第二 MOSFET被锁存在导通状态且使输入端被耦合到所述常开开关而被提供功率的控制器，其中，该控制器被构成成监视所述常开开关的状态以使得能够手动地操作所述常开开关以在所述控制器被提供功率的同时向所述控制器提供输入。4.根据权利要求1的设备，其中，所述第二漏极和所述第一栅极通过手动可操作以促使所述第一 MOSFET和第二 MOSFET停止被锁存在导通状态的常闭开关而被耦合。5.一种方法，包括等待从通过由常开开关的操作触发的第一 MOSFET和第二 MOSFET的锁存相互作用启用的电源提供电功率，其中所述常开开关的操作促使所述第一 MOSFET和第二 MOSFET被锁存在导通状态。6.根据权利要求5的方法，还包括响应于所述常开开关被闭合而中断所述第一MOSFET 和第二 MOSFET的锁存相互作用。7.根据权利要求6的方法，其中所述第一 MOSFET的漏极被耦合到所述第二 MOSFET的栅极以启用锁存相互作用；以及响应于所述常开开关被闭合而中断所述第一 MOSFET和第二 MOSFET的锁存相互作用包括将低电位驱动至所述第二 MOSFET的栅极。8.根据权利要求5的方法，还包括针对所述常开开关在所述锁存相互作用期间被手动操作以启用输入的接收的实例而监视所述常开开关。9.根据权利要求5的方法，其中，所述第一MOSFET的栅极通过常闭开关被耦合到所述第二 MOSFET的漏极，以在所述常闭开关被闭合的同时启用所述锁存相互作用，并使得能够通过打开所述常闭开关来中断该锁存相互作用。10.一种设备，包括导体，其用以使得能够将所述设备耦合到双向通信设备；电压传感器，其被耦合到所述导体以测量存在于所述导体上的相对于接地导体的电压；控制器，其被耦合到所述导体，并被构造成针对在所述导体上发生的信号活动的第一实例的第一结束而监视所述导体；响应于所述第一结束，向所述导体中注入电流并操作所述电压传感器以在所述电流被注入到所述导体中的同时获得所述导体上的电压的第一度量；根据至少所述第一度量来计算...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·G·扬科沃伊，
申请(专利权)人：伯斯有限公司，
类型：
国别省市：