固体摄像装置、摄像装置制造方法及图纸

提供一种即使无光圈机构也能够调整光量，在高照度下也能够以大动态范围进行摄像的固体摄像装置。一种具有由具备在半导体基板(20)的表面形成的光电转换部(11)的多个单位像素(1)排列成二维状的摄像区域的固体摄像装置，具备：层间膜(24)，在光电转换部(11)上形成、由介电体构成；光衰减过滤器(16)，在层间膜(24)上以像素部为单位或者以由多个像素部构成的像素块为单位形成，通过施加电压使光的透射率发生变化；以及选择晶体管，在半导体基板(20)内与光衰减过滤器(16)相对应地形成，确保或者阻断向光衰减过滤器(16)的电压施加路径。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种搭载于数字静止照相机等上的固体摄像装置以及摄像装置。
技术介绍
通过数字静止照相机摄像时，使用按照被摄体或摄影场所的照度来调节光量的外置的ND(Neutral Density :中性密度)滤光器或机械式的机械式光圈，但由于两者都是使作为与固体摄像装置独立的元件动作，因此照相机难以小型化。因此，特别是安全用数码相机或手机电话终端用照相机等的小型照相机一类，不能使用上述外置ND滤光器或机械式的机械式光圈。而且，出于对图像的高精细化和元件的小型化的要求，像素的微细化在发展，随着 光电二极管的缩小，摄像饱和照度下降，在晴天时的户外等高照度下进行摄像时，光电二极管就会饱和，图像就会过曝，便成为所谓高光溢出(白△ K)等问题。特别是由于饱和照度的减少，当在同一视角中照度高的地方与低的地方混合存在时，为使得两者的信号不饱和，作为明暗调节来说，摄像便极为困难。因此，在没有光量调节机构的高照度下摄像就很困难。在专利文献I中，公开了一种作为未使用机械式光圈的照相机的固体摄像装置，具备了收纳于照相机内部的固体摄像元件；以及与该固体摄像元件的摄像面平行配置一体化为封装并通过通电对透射光进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.04 JP 2010-1756641.一种固体摄像装置，具有由具备在半导体基板表面形成的光电转换元件的像素部以二维状排列而成的摄像区域， 该固体摄像装置具备 层间膜，在上述光电转换元件之上形成，由介电体构成； 光衰减过滤器，在上述层间膜之上，与每个像素部或者与由多个像素部构成的每个像素块相对应地形成，通过施加电压使光的透射率发生变化；以及 开关晶体管，在上述半导体基板内，与上述光衰减过滤器相对应地形成，用于连接或者阻断向上述光衰减过滤器的电压施加路径。2.如权利要求1所述的固体摄像装置， 上述光衰减过滤器具备 下部透明电极，层叠于由上述介电体构成的层间膜上； 固体电解质层及活性物质层，层叠于上述下部透明电极上；以及 上部透明电极，层叠于上述固体电解质层及上述活性物质层中的上层之上， 上述固体电解质层由绝缘性的介电体构成，并且是通过向上述下部透明电极及上述上部透明电极施加电压而产生离子插入及释放的材料， 上述活性物质层是伴随着由于施加电压而产生的上述离子的插入及释放、吸收光谱发生变化的材料。3.如权利要求2所述的固体摄像装置， 上述活性物质层是由W03、Mo03或者IrO2构成的非晶态的膜。4.如权利要求2所述的固体摄像装置， 上述固体电解质层由ZrO2、Ta2O5、Cr203、V2O5、SiO2、Nb2O5及HfO2中的至少一个构成，且含有氢。5.如权利要求2所述的固体摄像装置， 上述固体电解质层由包含L1、Na及Ag中的至少一个的、错、钽、铬、钥;、银及铪的氧化物中的一个构成。6.如权利要求2所述的固体摄像装置， 上述光衰减过滤器在上述固体电解质层与上述活性物质层之间还具备由绝缘体构成的薄膜绝缘层， 上述绝缘体是Si02、SiON及SiN中的任意一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉田真治，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：