显示装置以及显示装置的制造方法制造方法及图纸

一种显示装置以及显示装置的制造方法。该显示装置具有显示元件；控制显示元件的发光的薄膜晶体管；和与薄膜晶体管连接的信号线，薄膜晶体管具有：在绝缘性基板上形成的栅极电极；以覆盖栅极电极的方式形成在基板上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成的沟道层；和与沟道层连接的源极电极以及漏极电极，并且，信号线的安装端子部具有如下结构：在铜层上层叠有金属氧化物层，且将安装端子部的截面设为梯形并且用保护膜覆盖了安装端子部的侧面和上表面的周边部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种使用有机EL显示装置等的薄膜晶体管(以下也简写为“TFT (ThinFilm Transistor))的。
技术介绍
一直以来，FPD(平板显示器Flat Panel Display)的开发非常盛行，使用有机EL(电致发光Electro Luminescence)兀件或者LCD(液晶显不器Liquid CrystalDisplay)元件的显示装置广为人知。在LCD或有机EL显示装置中采用了有源矩阵方式，该有源矩阵方式能够使用多个像素以高精度显示任意的文字或图形。作为有源矩阵方式的驱动电路元件的一个例子，薄膜晶体管方式为人所知。在表面为绝缘性的基板上以矩阵状配置扫描线和信号线。由该扫 描线和信号线围起的区域成为像素，在各像素配置薄膜晶体管。近年来，对显示装置的大型化和高精细化的要求越来越高，扫描线和信号线的导电材料部的信号传递的延迟成为问题。作为解决该问题的手段，提出了利用电阻更低的铜来代替作为导电材料而一直被使用的铝等的导电金属的方案。在使用铜作为导电材料的情况下，需要采取防止铜氧化的对策。如果铜表面与空气中的氧或水分接触，则表面会形成CuO或Cu2O等的氧化层。由于这些氧化层不会成为非动态，因此，氧化会发展至内部，作为导电材料的铜的电阻率会增大，会失去作为低电阻的铜的优势。因此，为了不使铜布线的表面露出，需要某种防氧化层。为了防止铜表面的氧化，提出了以在SiNx、SiO5^P SiNO膜等的薄膜晶体管的制造中使用的绝缘膜覆盖铜布线的方案。为了阻挡铜布线与大气的接触，并保护其不受蚀刻加工中使用的蚀刻剂的影响，作为绝缘膜的代替物，能够举出铟锡氧化物(以下简称为“ΙΤ0”)或铟锌氧化物(以下简称为“ΙΖ0”)等的金属氧化物导体。通常，这些金属氧化物导体是在液晶显示装置中作为透明像素电极使用的。由于金属氧化物导体不会在与铜之间产生原子的相互扩散，因此，除了作为透明像素电极使用以外，作为铜布线的保护膜也很有效。例如，如果在安装了由铜布线构成的扫描线或信号线和驱动电路等的安装端子部分预先设置由金属氧化物导体形成的保护层，则铜布线不会被大气中的氧或水分氧化，铜布线的电阻率不会升高。因此，设置由金属氧化物导体形成的保护层是用于在安装端子部分维持接触电阻较低的良好连接的有效手段。另外，在薄膜晶体管基板内的绝缘膜设置接触孔、并且在经由接触孔的布线之间的连接部分也设置由金属氧化物导体构成的保护层是用于在经由接触孔的布线之间的连接部分维持接触电阻较低的良好连接的有效手段。另外，在薄膜晶体管基板的制造工序中，当利用溅射法等在整个基板表面形成金属薄膜之后，利用光刻将扫描线、信号线、栅极电极、源极电极、漏极电极和电容电极等的金属导体部分加工成规定的图案。但是，随着铜布线的部位不同而图案也不同，为了减少掩模数量，优选在各布线部位上能够在一次光刻工序中使用相同的抗蚀剂掩模来形成在铜薄膜上层叠了金属氧化物导体膜的层叠结构的图案。另一方面，由于ITO等的金属氧化物导体与铜的蚀刻液不同，因此，或者使用专用的蚀刻液、或者使用铜用的蚀刻液与金属氧化物导体的蚀刻液的混合溶液。例如，有的专利文献中提出了以下方案，即，在蚀刻时，首先使用盐酸水溶液或在盐酸水溶液中添加了硝酸的水溶液作为金属氧化物导体膜用的溶液；作为铜薄膜用的溶液而使用含有过硫酸铵溶液或者过硫酸氢钾(KHS05)和氢氟酸的溶液(例如，参照专利文献I)。但是，要求能够容易地制造具有由铜形成的低电阻布线的显示装置，并实现在长时间内可靠性高的显示装置。现有技术文献专利文献专利文献I JP特开2001-196371号公报
技术实现思路
专利技术概要本专利技术的显示装置具有显示元件；控制显示元件的发光的薄膜晶体管；和与薄膜晶体管连接的信号线，薄膜晶体管具有在绝缘性基板上形成的栅极电极；以覆盖栅极电极的方式形成在基板上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成的沟道层；和与沟道层连接的源极电极以及漏极电极，并且，信号线的安装端子部具有如下结构在铜层上层叠有金属氧化物的构成，且将安装端子部的截面设为梯形并且用保护膜覆盖了安装端子部的侧面和上表面的周边部。另外，本专利技术的显示装置的制造方法的特征为，显示装置具有显示元件；控制该显示元件的发光的薄膜晶体管；和与该薄膜晶体管连接的信号线，薄膜晶体管具有在绝缘性基板上形成的栅极电极；以覆盖栅极电极的方式形成在基板上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成的沟道层；和与沟道层连接的源极电极以及漏极电极，信号线的安装端子部按如下构成在铜层上形成层叠了金属氧化物层的膜，之后，在金属氧化物层上形成抗蚀剂掩模，然后，首先使用抗蚀剂掩模来蚀刻上层的金属氧化物层，之后，使用抗蚀剂掩模来蚀刻下层的铜层，然后，再次蚀刻上层的金属氧化物层，将安装端子部的截面加工为梯形，然后，用保护膜覆盖安装端子部的侧面和上表面的周边部。如上所述，根据本专利技术的薄膜晶体管用的铜布线基板及其制造方法和使用该制造方法的显示装置，能够容易地制造由铜形成的具有低电阻布线且大型化、高精细化的显示装置。另外，还能够确保安装端子部或经由接触孔的布线间连接部的耐氧化性或耐药剂性，并实现长期高可靠性的显示装置。附图说明图1是作为本专利技术的一个实施方式中的显示装置的有机EL显示装置的局部解剖立体图。图2是本专利技术的一个实施方式中的显示装置的像素的电路构成图。图3是表示构成本专利技术的一个实施方式中的显示装置的一个像素的驱动晶体管的设备结构的剖视图。图4是表示本专利技术的一个实施方式中的显示装置的安装端子部分的构成的剖视图。图5A是表示本专利技术的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图5B是表示本专利技术的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图5C是表示本专利技术的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图是表示本专利技术的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图5E是表示本专利技术的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图5F是表示本专利技术的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图5G是表示本专利技术的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图5H是表示本专利技术的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图51是表示本专利技术的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图5J是表示本专利技术的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图5K是表示本专利技术的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图5L是表示本专利技术的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图5M是表示本专利技术的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图5N是表示本专利技术的一个实施方式中的薄膜晶体管和积蓄电容部的制造方法中的制造工序的一个例子的剖视图。图50是表示本专利技术的一个实施方式中的薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.07.19 JP 2011-1574401.一种显示装置，具有显示元件；控制上述显示元件的发光的薄膜晶体管；和与上述薄膜晶体管连接的信号线，上述薄膜晶体管具有在绝缘性基板上形成的栅极电极；以覆盖上述栅极电极的方式形成在上述基板上的栅极绝缘膜；在上述栅极绝缘膜上形成的沟道层；和与上述沟道层连接的源极电极以及漏极电极，并且，上述信号线的安装端子部具有如下结构在铜层上层叠有金属氧化物层，且将上述安装端子部的截面设为梯形并且用保护膜覆盖了上述安装端子部的侧面和上表面的周边部。2.—种显示装置的制造方法，该显示装置具有显示元件；控...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤一郎，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：