【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具备用于液晶显示器或有机EL显示器等显示装置的Cu合金膜的显示装置，详细地说，涉及具备与含氧绝缘体层的密接性等优异的Cu合金膜的显示装置。
技术介绍
在以液晶显示器为代表的显示装置的配线中，至今使用铝(Al)合金膜。但是，随着显示装置的大型化和高画质化的进展，配线电阻大引起的信号延迟和电力损失的明显化。为此，作为配线材料，比Al电阻低的铜(Cu)受到瞩目。Al的电阻率为2. 5 X 10_6 Ω -cm, 对此，Cu的电阻率低，为1.6 X 10_6Ω · cm。但是，Cu不能确保和栅极绝缘膜(作为代表可例举SiOx、SiON等的Si氧化物、Si 氮氧化物等)的充分的密接性。即，存在与含氧绝缘体层的密接性低，发生剥离的问题。另外，由于与含氧绝缘体层的密接性低，所以Cu还存在用于加工成配线形状的湿蚀刻困难的问题。玻璃基板的主成分是Si氧化物，存在与栅极绝缘膜同样的问题，但提 出了用于提高与所述玻璃基板的密接性的各种技术。例如，在专利文献I 3中公开了在Cu配线和玻璃基板之间，设置钥(Mo)和铬 (Cr)等高熔点金属层实现提高密接性的技术。但是，在这些...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.21 JP 2010-1643851.一种显示装置用Cu合金膜，其特征在于，具有包括第一层(Y)和第二层(X)的层叠构造，其中，所述第一层⑴由合计含有1. 2 20原子％的从由Zn、N1、T1、Al、Mg、Ca、W、Nb和Mn构成的群中选出的至少一种元素的Cu合金构成，所述第二层(X)由纯Cu或以Cu为主成分的Cu合金即电阻率比所述第一层(Y)低的Cu合金构成， 所述第一层(Y)的一部或全部与含氧绝缘体层直接接触，并且， 所述第一层⑴含有Zn或Ni时，所述第一层⑴的膜厚为IOnm以上IOOnm以下， 所述第一层(Y)不含有Zn和Ni时，所述第一层(Y)的膜厚为5nm以上IOOnm以下。2.根据权利要求1所述的显示装置用Cu合金膜，其中，所述第一层(Y)的膜厚相对于Cu合金膜总膜厚为60%以下。3.根据权利要求1或2所述的显示装置用Cu合金膜，其中，所述第一层⑴含有Mn，所述含氧绝缘体层是通过CVD法制作成的氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiON)时，满足下式⑴，2 ^ {[O] X [Mn] XL 6}/( + [N]) · · ·...
【专利技术属性】
技术研发人员：三木绫，钉宫敏洋，寺尾泰昭，
申请(专利权)人：株式会社神户制钢所，
类型：
国别省市：
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