用于制造硅块的装置和方法制造方法及图纸

一种用于制造用于光伏应用的硅块（30）的装置（1），包括带有基壁（5）和至少一个侧壁（6）的用于接收硅熔体（3）的容器（3）、用于减少杂质从容器（2）的壁（5，6）中的至少一个扩散到硅熔体（3）中的装置，其中用于减少杂质扩散的装置包括用于至少部分覆盖容器（2）的壁（5，6）中的至少一个的至少一个覆盖元件（4）。

【技术实现步骤摘要】

本申请要求2011年9月13日提交的系列号为102011082628. 9的德国专利申请的优先权，该申请的内容通过弓I用整体并入本文,便如在文中完整陈述一样。本专利技术涉及一种用于制造硅块的装置。此外，本专利技术涉及一种用于制造硅块的方法和娃块。
技术介绍
大体积半导体体部、尤其是硅块的制造对于硅太阳能电池的制造而言至关重要。通常使用硅熔体在其中固化的熔化坩埚来制造硅块。例如，从DE 102005013410A1获知一种。
技术实现思路
持续存在对进一步开发的需求。通过一种用于制造用于光伏应用的硅块的装置来实现该目的，所述装置包括带有基壁和至少一个侧壁的用于接收硅熔体的容器，并且包括用于减少杂质从容器的壁中的至少一个扩散到硅熔体和硅块中的装置，其中用于减少杂质扩散的装置包括至少一个覆盖元件，以至少部分地覆盖容器的壁中的至少一个。还通过一种用于制造硅块的方法来实现该目的，所述方法包括以下步骤提供包括基壁和至少一个侧壁的用于接收硅熔体的容器、提供并布置用于使容器中的硅熔体与容器的基壁分离的装置、在容器中提供硅熔体、以及使硅熔体固化。本专利技术的核心是将扩散阻挡层布置在用于接收硅熔体的坩埚中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造用于光伏应用的硅块（30）的装置（1），包括：a.用于接收硅熔体（3）的容器（2），所述容器（2）带有i.基壁（5）；和ii.至少一个侧壁（6），b.用于减少杂质从所述容器（2）的所述壁（5，6）中的至少一个扩散到所述硅熔体（3）和所述硅块（30）中的装置，c.其中，所述用于减少杂质扩散的装置包括至少一个覆盖元件（4；4a），以至少部分地覆盖所述容器（1）的所述壁（5，6）中的至少一个。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：B·弗雷登伯格，S·格吕茨纳，M·迪特里希，K·达德兹斯，A·克劳泽，B·格吕迪格温德洛克，D·诺尔特，M·特莱姆帕，C·赖曼，J·弗里德里希，
申请(专利权)人：太阳世界创新有限公司，弗朗霍夫应用科学研究促进协会，
类型：发明
国别省市：