低膨胀率微晶玻璃制备方法技术

技术编号:8482939 阅读:179 留言:0更新日期:2013-03-28 01:58
本发明专利技术涉及一种微晶玻璃的制备方法,具体为低膨胀率的微晶玻璃制备方法,具体的技术方案为:称取玻璃原料,原料混匀后加入到坩埚内,升温至1550℃,保温4h,再降至1450℃保温1h;然后于680℃退火处理5h,得到基础玻璃;再进行核化和晶化,核化温度750℃,核化时间1h,晶化温度1075℃,晶化时间1.5h。本发明专利技术提供的生产方法可以有效的提供堇青石析出,降低膨胀系数,保证了微晶玻璃的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种微晶玻璃的制备方法,具体为低膨胀率的微晶玻璃制备方法。
技术介绍
MgO-Al2O3-SiO2系微晶玻璃具有优良的高频电性能、较高的机械强度,良好的抗热震性和热稳定性,在电子、航天、机械等领域获得了广泛的应用。这些优越性能的获得源自玻璃中堇青石(2Mg0 2A1203 5Si02)主晶相的析出。堇青石的热膨胀系数呈各向同性,随着温度的升高,C轴方向膨胀但a轴方向收缩导致零体积膨胀。由于该系统析晶过程复杂,异种晶相的析出会因相变而导致玻璃性能的破坏。
技术实现思路
本专利技术提供一种可以有效的控制堇青石析出,得到膨胀系数较小的微晶玻璃,具体的技术方案为 (1)称取玻璃原料,重量百分比为,Mg015.2%, Al20322. 3%, Si0248%, Ca02%, B2032%,Sb2O3O. 5%, ZnO210% ;(2)以上原料混匀后加入到坩埚内,升温至1550°C,保温4h,再降至1450°C保温Ih; (3)然后浇注成薄板,于680°C退火处理5h,得到基础玻璃; (4)基础玻璃再进行核化和晶化,核化温度750°C,核化时间lh,晶化温度1075°C,晶化时间1. 5h。本专利技术提供的生产方法可以有效的提供堇青石析出,降低膨胀系数,保证了微晶玻璃的性能。具体实施例方式用实施例子说明本专利技术的具体实施例方式 (1)称取玻璃原料,重量百分比为,Mg015.2kg,Al20322. 3kg,Si0248kg, Ca02kg, B2032kg,Sb2O3O. 5kg,ZnO2IOkg ;(2)以上原料混匀后加入到坩埚内,升温至1550°C,保温4h,再降至1450°C保温Ih; (3)然后浇注成薄板,于680°C退火处理5h,得到基础玻璃; (4)基础玻璃再进行核化和晶化,核化温度750°C,核化时间lh,晶化温度1075°C,晶化时间1. 5h。所获得的膨胀系数较小的微晶玻璃 ,膨胀系数为23. 535X 10 /°C。权利要求1.,其特征在于具体的技术方案为(1)称取玻璃原料,重量百分比为,Mg015.2%, Α120322· 3%, Si0248%, Ca02%, B2032%, Sb2O3O. 5%, ZnO210% ;(2)以上原料混匀后加入到坩埚内,升温至1550°C,保温4h,再降至1450°C保温Ih;(3)然后浇注成薄板,于680°C退火处理5h,得到基础玻璃;(4)基础玻璃再进行核化和晶化,核化温度750°C,核化时间lh,晶化温度1075°C,晶化时间1. 5h。全文摘要本专利技术涉及一种微晶玻璃的制备方法,具体为低膨胀率的微晶玻璃制备方法,具体的技术方案为称取玻璃原料,原料混匀后加入到坩埚内,升温至1550℃,保温4h,再降至1450℃保温1h;然后于680℃退火处理5h,得到基础玻璃;再进行核化和晶化,核化温度750℃,核化时间1h,晶化温度1075℃,晶化时间1.5h。本专利技术提供的生产方法可以有效的提供堇青石析出,降低膨胀系数,保证了微晶玻璃的性能。文档编号C03C10/08GK102992625SQ201210491458公开日2013年3月27日 申请日期2012年11月28日 优先权日2012年11月28日专利技术者蒋达光, 顾玉华, 岳丹 申请人:江苏宜达光电科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
低膨胀率微晶玻璃制备方法,其特征在于:具体的技术方案为:(1)称取玻璃原料,重量百分比为,MgO15.2%,Al2O322.3%,SiO248%,CaO2%,B2O32%,Sb2O30.5%,ZnO210%;(2)以上原料混匀后加入到坩埚内,升温至1550℃,保温4h,再降至1450℃保温1h;(3)然后浇注成薄板,于680℃退火处理5h,得到基础玻璃;(4)基础玻璃再进行核化和晶化,核化温度750℃,核化时间1h,晶化温度1075℃,晶化时间1.5h。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:蒋达光顾玉华岳丹
申请(专利权)人:江苏宜达光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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