一种中孔发达的高比表面石墨烯、及其制备方法技术

技术编号:8482627 阅读:271 留言:0更新日期:2013-03-28 01:34
本发明专利技术涉及一种中孔发达的高比表面石墨烯的制备方法,所述方法为在保护气氛中,将氧化石墨烯与活化剂进行混合,同时通入活化气,进行活化;最后经洗涤,过滤和干燥得到具有中孔发达的高比表面活性石墨烯;其中,所述活化剂选自氢氧化钾、氢氧化钠、磷酸、氯化锌中的任意1种或至少2种的组合。本发明专利技术设备简单、成本低,安全可靠,污染少,生产效率高,成本低,能够大规模生产,制备得到的石墨烯具有高的比表面积,更加适合电解质离子的迁移。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及,具体涉及,特别涉及一种采用化学-物理联合活化法制备中孔发达的高比表面石墨烯材料的方法,属于石墨烯材料的制备及应用领域。
技术介绍
石墨烯(Graphene)是一种由碳原子构成的单层片状结构的新材料,是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜,是只有一个碳原子厚度的二维材料,具有超大的比表面积、优异的导电和导热性能,以及良好的化学稳定性。这些良好的性质使得基于石墨烯的材料成为一种理想的储能材料,包括超级电容电极材料、锂离子电池电极材料、储氢材料、燃料电池用材料等。目前,工业上制备高比表面活性石墨烯的方法多为化学活化法,即以活化剂如 Κ0Η,NaOH等对碳原料进行腐蚀从而形成丰富的孔结构增加材料的比表面积,制备出高比表面活性石墨烯。该方法的化学活化反应速度快,生产周期短,孔径分布窄,但是化学活化法所使用的活化剂对设备腐蚀性大,成本高,且该方法所述的化学活化过程以生成微孔为主, 不利于有机电解质离子的迁移,进而影响石墨烯材料的导电性,限制了石墨烯的应用,如影响超级电容器的功率特性。CN102070140A公开了一种利用强碱和碳在高温下的反应,对热处理或者本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种中孔发达的高比表面石墨烯的制备方法,其特征在于,所述方法包括:在保护气氛中,将氧化石墨烯与活化气反应,进行活化;最后经洗涤,过滤和干燥得到具有中孔发达的高比表面活性石墨烯。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李璐瞿研
申请(专利权)人:常州第六元素材料科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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