臭氧气体的浓缩方法及其装置制造方法及图纸

一种臭氧气体浓缩方法，并列配置向内部填充非冷却状态的吸附剂而成的至少两个吸附筒，使容置在各吸附筒内的非冷却状态的吸附剂在臭氧及氧气混合气体中选择性地吸附臭氧气体，且在进行臭氧气体脱离操作时，通过对各吸附筒进行减压处理来使臭氧气体从吸附剂脱离，由此浓缩提纯臭氧气体，另外，控制上述至少两个吸附筒，使两个吸附筒交替反复进行吸附工序和脱离工序，且在一个吸附筒处于吸附工序时使另一个吸附筒处于脱离工序。在从臭氧气体的吸附工序要向脱离工序切换时，使处于吸附工序的吸附筒和处于脱离结束阶段的吸附筒相连通，使得吸附筒内部的压力的均等化，之后，使处于吸附阶段的吸附筒与减压发生单元相连通，来使臭氧气体从吸附剂脱离。

【技术实现步骤摘要】
臭氧气体浓缩方法
本专利技术涉及向半导体制造设备等臭氧消耗设备供给浓缩到规定浓度范围的臭氧气体的方法及其装置，尤其涉及对在臭氧发生器中产生的臭氧气体进行提纯并作为规定浓度范围的浓缩臭氧气体进行供给的方法及其装置。
技术介绍
一般而言，通过将来自氧气瓶的氧气和从大气中分离出的氧气供给至臭氧发生器来产生臭氧气体，但即使利用来自氧气瓶的氧气来产生臭氧气体，臭氧气体在氧气中的浓度也只会达到5～10vol％左右。而且，因为臭氧气体的自分解性强，所以臭氧气体在臭氧气体供给路径中进行自我分解，在向臭氧气体消耗设备供给的阶段中，浓度变得更低，而且臭氧气体的供给浓度不稳定。近年来，在半导体的制造领域中，在基板等上形成氧化膜时利用臭氧的氧化能力的情况逐渐增加，此时希望供给稳定的中浓度的臭氧气体，以便在短时间内稳定地形成恰当厚度的氧化膜。因此，本申请的申请人以前提出了如下的技术(专利文献1)，即，先将来自臭氧发生器的臭氧及氧气混合气体供给至填充有非冷却状态的臭氧吸附剂的吸附筒，来使吸附剂选择性地吸附臭氧气体，并且在进行臭氧气体脱离操作时使吸附筒形成真空来使臭氧气体从吸附剂脱离的技术。另外，提出了在从吸附筒本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种臭氧气体浓缩方法，并列配置向内部填充非冷却状态的吸附剂（1）而成的至少两个吸附筒（2），使容置在各吸附筒（2）内的非冷却状态的吸附剂（1）在臭氧及氧气混合气体中选择性地吸附臭氧气体，并且在进行臭氧气体脱离操作时，通过对各吸附筒（2）进行减压处理来使臭氧气体从吸附剂（1）脱离，由此浓缩提纯臭氧气体，另外，控制上述至少两个吸附筒（2），使至少两个吸附筒（2）分别交替反复进行吸附工序和脱离工序，并且在一个吸附筒（2）处于吸附工序时使另外的吸附筒（2）处于脱离工序，该臭氧气体浓缩方法的特征在于，在从臭氧气体的吸附工序向脱离工序切换时经由压力均等化工序，在压力均等化工序中，使结束了吸附工序的吸附筒（...

【技术特征摘要】
2011.09.09 JP 2011-1969201.一种臭氧气体浓缩方法，并列配置向内部填充非冷却状态的吸附剂(1)而成的至少两个吸附筒(2)，使容置在各吸附筒(2)内的非冷却状态的吸附剂(1)在臭氧及氧气混合气体中选择性地吸附臭氧气体，并且在进行臭氧气体脱离操作时，通过对各吸附筒(2)进行减压处理来使臭氧气体从吸附剂(1)脱离，由此浓缩提纯臭氧气体，另外，控制上述至少两个吸附筒(2)，使至少两个吸附筒(2)分别交替反复进行吸附工序和脱离工序，并且在一个吸附筒(2)处于吸附工序时使另外的吸附筒(2)处于脱离工序，该臭氧气体浓缩方法的特征在于，在从臭氧气体的吸附工序向...

【专利技术属性】
技术研发人员：牧平尚久，中村贞纪，井上吾一，小池国彦，
申请(专利权)人：岩谷产业株式会社，
类型：发明
国别省市：