抑制干扰射频发射电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种抑制干扰射频发射电路，包括信号放大输出电路，该信号放大输出电路包括三极管R25以及其基极附加的电容C1，还包括一与电容C1并联的二极管D1。由于附加与电容C1并联的二极管D1，电容充电时，二极管高阻，不影响电容工作，电容放电时，二极管导通，使电容上的电荷得到快速放电，以防电容两端电荷越积越多影响电路正常工作。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种抑制干扰射频发射电路，包括信号放大输出电路，该信号放大输出电路包括三极管R25以及其基极附加的电容C1，其特征在于：还包括一与电容C1并联的二极管D1。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：洪文佳，
申请(专利权)人：泉州市福连天电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：