【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及,特别涉及具备非易失性存储器的微控制器。技术背景现有的单芯片微控制器,采用将以存储有用于对其自身进行动作控制的程序的 EEPROM (电可擦可编程只读存储器Electrically Erasable Programmable ROM)为代表的非易失性存储器作为程序存储器使用的形式。将这种非易失性存储器用作程序存储器使用的优点在于,容易通过电的操作实现EEPROM中存储的程序的变更。即,由用户自身仅对需要变更的存储区域的程序进行重写,不必特意变更掩模。由此,能够不依赖IC制造业者而抑制成本,迅速开发程序不同的单芯片微控制器。但是,在将EEPROM用作非易失性存储器的情况下,具有上述优点的反面是存在当从EEPROM读出程序代码而使单芯片微控制器动作时EEPROM的耗电量较大的问题。作为用于解决这种问题的现有技术,公知有专利文献I记载的技术。专利文献I记载的技术,使用与非易失性存储器相比小容量的RAM。并且,该技术在执行用于特定动作时的小容量的程序的情况下,将动作所需的程序存储于低耗电的RAM,并且使耗电大的非易失性存储器为禁止状态。并且,专利文献I ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:小田原裕幸,三宅二郎,
申请(专利权)人:松下电器产业株式会社,
类型:
国别省市:
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