用于晶片检查或度量设置的数据扰乱制造技术

提供了用于确定晶片检查和/或度量的参数的各个实施例。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于晶片检查或度量设置的数据扰乱相关串请的交叉引用本申请要求2010年6月30 日提交的题为“Perturbation Modeling-Based Recipe Generation (基于扰乱建模的配方产生)”的美国专利申请S/N. 61/360, 406的优先权，该文件如在本文中完全阐述一样通过引用结合于此。专利技术背景I.专利
本专利技术总地涉及晶片检查或度量设置的数据扰乱。2.
技术介绍
以下描述和示例不因其包括在该部分中而被视为现有技术。检查工艺在半导体制造工艺期间的多个步骤中使用以检查晶片上的缺陷从而促进制造工艺中更高的产量并因此产生更高的利润。检查一直是制造半导体器件的一个重要组成部分。然而，随着半导体器件的尺寸减小，由于更小的缺陷也会导致器件产生故障，因此检查对于合格半导体器件的成功制造变得更为重要。当前，用于产生能通过工具匹配规范的配方的方法是基于经验的。例如，可在第一工具(“工具I”)上创建一配方并随后在第二工具(“工具2”)上进行尝试。如果该配方无法通过工具2上的工具匹配规范，则修正配方并转向工具I并测试。如果经修正的配方未通过工具匹配规范，则从一个工具至另一工具往复地执行该工艺，直到配方设定得出工具匹配结果为止。当涉及三件或更多个工具时，该工艺变得更为复杂。因而，如此建立匹配配方会花费大量晶片时间、工具时间和工程设计时间。因此，研发出一种不具有前述方法的一个或多个劣势的用于确定晶片检查和/或度量的一个或多个参数的方法和系统是有利的。
技术实现思路
各个实施例的以下描述不应以任何方式被解释为限制所附权利要求的主题。一个实施例涉及用于确定晶片处理的一个或多个参数的计算机实现方法。该方法包括产生一次或多次第一晶片扫描的性能和一次或多次第二晶片扫描的性能之间的差异的模型。这些扫描可发生在同一检查或度量工具上，或发生在不同的检查或度量工具上。另外，一次或多次扫描可包括以相同或不同(检查或度量)模式进行的扫描，并可包括多次扫描的任意组合。此外，扫描可以是检查扫描或度量扫描。该方法还包括使用一次或多次第一晶片扫描产生对于晶片的结果。该结果可包括检查结果或非检查测量结果(例如度量结果)。另外，该方法包括使用结果和模型对晶片产生经扰乱的结果。经扰乱的结果近似于通过一次或多次第二晶片扫描对晶片产生的结果。该方法还包括基于经扰乱的结果确定晶片处理的一个或多个参数。晶片处理包括执行一次或多次第二晶片扫描。该方法步骤是由计算机系统执行的。另一实施例涉及一计算机实现的方法，该方法产生可用来确定晶片处理的一个或多个参数的结果。该方法包括产生一次或多次第一晶片扫描的性能和一次或多次第二晶片扫描的性能之间的差异的模型。该方法还包括使用一次或多次第一晶片扫描产生对于晶片的结果。另外，该方法包括使用结果和模型产生对于晶片的经扰乱的结果。经扰乱的结果近似于通过一次或多次第二晶片扫描对晶片产生的结果。经扰乱的结果可用来确定晶片处理的一个或多个参数。晶片处理包括执行一次或多次第二晶片扫描。该方法步骤是由计算机系统执行的。一个附加实施例涉及用于确定晶片处理的一个或多个参数的计算机实现方法。该方法包括使用一次或多次第一晶片扫描产生对于晶片的结果。该方法还包括使用这些结果和一次或多次第一晶片扫描的性能和一次或多次第二晶片扫描的性能之间的差异的模型来产生晶片的经扰乱的结果。经扰乱的结果近似于通过一次或多次第二晶片扫描对晶片产生的结果。另外，该方法包括基于经扰乱的结果确定晶片处理的一个或多个参数。晶片处理包括执行一次或多次第二晶片扫描。该方法步骤是由计算机系统执行的。前述每个方法的每一步骤可如本文描述地那样进一步地执行。另外，前述每个方法可包括本文描述的任何其他方法的任何其他步骤。此外,前述每个方法可通过本文所描述的任何系统来实现。附图说明得益于优选实施例的以下详细描述和基于参考附图，本专利技术的其他优点将对本领域技术人员变得显而易见图I是使用第一晶片扫描确定的缺陷属性和使用第二晶片扫描确定的属性之间的差异相对于使用第一晶片扫描确定的属性和使用第二晶片扫描确定的属性的平均值的标绘图的示例；图2包括面元的数量的柱状图的示例，其中缺陷被拆分成面元以产生如本文所述的模型；图3包括示出使用晶片扫描产生的晶片的结果和如本文所述产生的扰乱结果的标绘图的示例；图4是示出非瞬态计算机可读介质的一个实施例的方框图；以及图5是示出可用来执行本文所述的一个或多个计算机实现方法的系统的一个实施例的方框图。虽然本专利技术容许多种修改和替代形式，但其具体实施例将通过附图中的示例示出且将在本文中予以详细描述。这些附图可能未按比例绘制。然而应当理解，本专利技术的附图和详细描述并不旨在将本专利技术限于所公开的特定形式，相反，其意图是覆盖落在如所附权利要求所限定的本专利技术的精神和范围内的所有修改、等效方案以及替换方案。具体实施方式—般来说，本文描述的实施例涉及基于扰乱建模的稳定配方产生。一个实施例涉及用于确定晶片处理(例如晶片检查和/或晶片度量)的一个或多个参数的计算机实现方法。如本文将进一步描述的那样，该方法可包括建立模型并随后使用该模型对数据进行扰乱(或对数据执行其它修改)来创建晶片检查或度量配方，其具有三种广义类型的应用。例如，在一个实施例中，确定一个或多个参数是如本文进一步描述那样执行的，以使一次或多次第二晶片扫描的性能与一次或多次第一晶片扫描的性能匹配。在一个实施例中，一次或多次第一晶片扫描和一次或多次第二晶片扫描是通过不同的工具执行的。例如，该方法可用来确定能通过工具匹配规范的一个或多个参数(或“配方设定”)。如此，本文所述实施例的一种广义类型的应用是其中创建能通过工具匹配规范的工具-工具匹配。工具匹配规范的一个示例是以0%的自捕捉比率(自捕捉率)经N次重复的由两个工具捕捉的D缺陷的计数和定位必须匹配在M%之内。值C、N和M可依赖于晶片的层和工具的性质。在另一实施例中，一次或多次第一晶片扫描和一次或多次第二晶片扫描是通过同一工具执行的。例如，本文描述的方法可用来产生能通过自捕捉率或扫描匹配规范的一个或多个参数(或“配方设定”)。如此，本文所述实施例可用于包括自捕捉率配方生成或扫描-扫描匹配的另一广义类型的应用，在该应用中创建能通过自捕捉率规范的配方。在一附加实施例中，一次或多次第一晶片扫描和一次或多次第二晶片扫描在一预定间隔之后执行。例如，第三广义类型的应用是及时根据工艺改变调整配方，这将在本文中进一步描述。如此，一次或多次第一晶片扫描和一次或多次第二晶片扫描是通过同一工具、不同工具或在不同时间进行的。同样，三种广义应用包括1)工具-工具匹配(或工具间扫描匹配)；2)扫描-扫描匹配(或工具内扫描匹配)以及3)工具-工具或扫描-扫描匹配以将随时间的变化考虑在内。当用户设定一配方时，用户可判断他或她是否想要建立具有某一自捕捉率的配方或通过工具匹配规范的配方。尽管一些实施例在本文中是针对一种应用(例如工具-工具匹配)进行描述的， 但这三种应用在如何使用该方法的方面是相似的。因此，尽管这些实施例可能是针对一种应用(例如工具-工具匹配)进行描述的，但本领域内技术人员将理解如何将这些实施例用于另一应用(例如扫描-扫描匹配)中。术语“一个或多个参数”或“配方设定”一般指配方中可调整的所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·萨泰森达拉姆，M·马哈德万，A·古普塔，CH·A·陈，A·库卡尼，J·柯克伍德，K·吴，S·荣，
申请(专利权)人：克拉坦科股份有限公司，
类型：
国别省市：