【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路设计领域，具体涉及一种复位电路。
技术介绍
在集成电路的设计中，芯片的抗干扰问题不容忽视，在芯片带动较大的驱动电路时，驱动会对电源产生影响；复位电路的功能是保证芯片能够正常初始化，在利用电容的电压不突变原理，通过P-MOS管对电源充电实现初始化功能的复位电路中，由于P-MOS管处于导通状态，如果电源波动较大，或波动时间较长，会使内部电路产生误复位，造成芯片的功能混乱。
技术实现思路
本专利技术要解决的问题是提供一种抗干扰复位电路，可以解决现有技术因P-MOS管导通，在电源波动情况下导致内部电路误复位的问题。本专利技术通过以下技术方案实现 一种抗干扰复位电路，包括源极与电源连接、漏极与一端接地的电容器连接的PMOS管，所述PMOS管和电容器的连接点与反相器串联构成的放大电路的输入端连接，所述放大电路的输出端连接外电路，所述PMOS管的栅极连接于反相器和反相器的连接点。本专利技术与现有技术相比的优点在于 一、利用PMOS管的特性，在复位过程结束后关闭PMOS管，使电源的波动不影响电容的电量，达到提高抗干扰性的目的； 二、结构简单，实施方便，不...
【技术保护点】
一种抗干扰复位电路，包括源极与电源（6）连接、漏极与一端接地的电容器（2）连接的PMOS管（1），所述PMOS管（1）和电容器（2）的连接点与反相器（3、4、5）串联构成的放大电路的输入端连接，所述放大电路的输出端（7）连接外电路，其特征在于：所述PMOS管（1）的栅极连接于反相器（4）和反相器（5）的连接点。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：谢卫国，
申请(专利权)人：江苏格立特电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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