一种欠压浪涌保护的储能电路制造技术

本发明专利技术涉及一种欠压浪涌保护的储能电路，包括储能电容，其特征在于该储能电容的正极与MOS管的源极连接，MOS管的漏极通过充电电阻与输入电源的正输入端连接，MOS管的栅极通过驱动电阻与输入电源的正输入端连接，该储能电容的负极连接输入电源的负输入端，MOS管的栅极与稳压二极管的正极连接，稳压二极管的负极与MOS管的源极连接。本发明专利技术的优点在于：瞬间上电时的充电电流不至于过大，避免了大电流对储能电容和其他电子元器件的损害，当电源电压发生抖动时，储能电容不会发生重复的充放电现象，减小了对储能电容寿命的影响。

【技术实现步骤摘要】
一种欠压浪涌保护的储能电路
本专利技术涉及一种可满足GJB181-1986中欠压浪涌保护的储能电路，可应用于需要满足GJB181-1986中欠压浪涌保护要求的直流供电电路。
技术介绍
在GJB181-1986中，对直流机载用电设备的技术要求里包含一项耐欠压浪涌要求，即直流用电设备的28V输入电压下降到8V并持续50ms时，用电设备应不中断工作。欠压浪涌保护通常的方案会直接在电源输入端放置大容量储能电容，这样做的缺点就是在上电瞬间，电流会瞬间很大，容易损坏储能电容和其他的一些元器件；同时也会造成储能电容不必要的重复充放电，影响储能电容的寿命。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种欠压浪涌保护的储能电路，解决了通常储能电路方案中上电瞬间电流过大、储能电容重复充放电的问题。为了实现上述目的，本专利技术的技术方案如下：一种欠压浪涌保护的储能电路，包括储能电容，其特征在于该储能电容的正极与MOS管的源极连接，MOS管的漏极通过充电电阻与输入电源的正输入端连接，MOS管的栅极通过驱动电阻与输入电源的正输入端连接，该储能电容的负极连接输入电源的负输入端，MOS管的栅极与稳压二极管的正极连接，稳压二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种欠压浪涌保护的储能电路，包括储能电容，其特征在于该储能电容的正极与MOS管的源极连接，MOS管的漏极通过充电电阻与输入电源的正输入端连接，MOS管的栅极通过驱动电阻与输入电源的正输入端连接，该储能电容的负极连接输入电源的负输入端，MOS管的栅极与稳压二极管的正极连接，稳压二极管的负极与MOS管的源极连接。

【技术特征摘要】
1.一种欠压浪涌保护的储能电路，包括储能电容，其特征在于该储能电容的正极与MOS管的源极连接，MOS管的漏极通过充电电阻与输入电源的正输入端连接，MOS管的栅极通过驱动电阻与输入电源的正输入端连接，该储能电容的负极连接输入电源的负输入端，MOS管的栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭布坤，
申请(专利权)人：上海航空电器有限公司，
类型：发明
国别省市：